Snapdragon的875將采用5納米節點的制造
高通技術峰會計劃于12月1日開始，該公司將發布其下一代旗艦智能手機芯片組-高通Snapdragon875。現在，在正式宣布發布的幾周前，即將發布的SoC的詳細信息已在網上泄露。
一個新的報告來自中國聲稱，Snapdragon的875將采用5納米節點的制造。值得注意的是，這不是新信息，因為它早些時候已經被揭示出來。此外，由于已經發布了Apple A14 Bionic和華為HiSilicon Kirin 9000，因此它將不是第一個使用5nm工藝制造的芯片組。
報告顯示，即將推出的八核芯片組將配備一個時鐘頻率為2.84GHz的超大內核，三個時鐘頻率為2.42GHz的Cortex-A78內核以及四個時鐘頻率為1.8GHz的Cortex-A55內核。據說還包裝了Adreno 660 GPU，以增強圖形性能。
以前，有報道稱，對于SD875芯片組，高通公司選擇了“超大尺寸”內核，即Cortex-X1，據稱其性能比Cortex-A78提高了23%。
至于連通性支持，預計SoC將與Snapdragon X60 5G調制解調器一起提供，但是該公司是否選擇使其成為集成調制解調器（與之前的產品類似）還有待觀察。
就在幾天前，在AnTuTu基準測試平臺上發現了由Qualcomm SD875 SoC驅動的原型設備，該芯片組獲得899，401分，CPU得分333，246分，GPU得分342，225分。
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