壓力傳感器的歷史可追溯到70多年前......壓力傳感器以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志，整個(gè)發(fā)展過(guò)程可以分為以下四個(gè)階段...

在現(xiàn)代工業(yè)設(shè)備中，壓力傳感器和檢測(cè)儀表是不可或缺的一部分。壓力傳感器是一種把非電量轉(zhuǎn)變成電信號(hào)的器件，而檢測(cè)儀表在模擬電子技術(shù)條件下，一般是包括傳感器、檢測(cè)點(diǎn)取樣設(shè)備及放大器（進(jìn)行抗干擾處理及信號(hào)傳輸），當(dāng)然還有電源及現(xiàn)場(chǎng)顯示部分（可選擇），電信號(hào)一般為連續(xù)量、離散量?jī)煞N，實(shí)際上還可分成模擬量、開(kāi)關(guān)量、脈沖量等，模擬信號(hào)傳輸采用統(tǒng)一信號(hào)（4-20mADC等）。數(shù)字化過(guò)程中，檢測(cè)儀表變化比較大，經(jīng)過(guò)幾個(gè)階段，近來(lái)多采用ASIC專用集成電路，而且把傳感器和微處理器及網(wǎng)絡(luò)接口封裝在一個(gè)器件中，完成信息獲取、處理、傳輸、存貯等功能。在自動(dòng)化儀表中經(jīng)常把檢測(cè)儀表稱為變送器，如問(wèn)題變送器、壓力變送器等。

而壓力傳感器的歷史可追溯到70多年前......壓力傳感器以半導(dǎo)體傳感器的發(fā)明為標(biāo)志，整個(gè)發(fā)展過(guò)程可以分為以下四個(gè)階段：

1、發(fā)明階段（1945-1960年）

這個(gè)階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后，半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯（C.S.Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng)，即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí)，其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。此階段最小尺寸大約為1cm。

2、發(fā)展階段（1960-1970年）

隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的（001）或（110）晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了金屬-硅共晶體，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。

3、商業(yè)化階段（1970-1980年）

在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，主要有V形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕，數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式，成本進(jìn)一步降低。

4、微機(jī)械加工階段（1980年至今）

上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù)，使得微機(jī)械加工工藝成為可能。通過(guò)微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器，其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜，使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。

如今壓力傳感器應(yīng)用于各行各業(yè)，加之近年家用電器、汽車、信息產(chǎn)業(yè)三方面的飛速發(fā)展，對(duì)傳感器需求大增，所以傳感器制造業(yè)發(fā)展很快，形成獨(dú)立的產(chǎn)業(yè)，這就拉動(dòng)了工業(yè)設(shè)備，特別是半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)的發(fā)展。
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