在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體:全力打造國際一流的碳化硅IDM企業(yè)

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:James ? 2020-12-24 14:01 ? 次閱讀

2021中國IC風(fēng)云榜“年度最具成長潛力獎”征集現(xiàn)已啟動!入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為營收500萬-1億元的未上市、未進入IPO輔導(dǎo)期的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟129家會員單位及400多位半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任評選評委。獎項的結(jié)果將在2021年1月份中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風(fēng)云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業(yè):深圳基本半導(dǎo)體有限公司(下稱“基本半導(dǎo)體”)。

基本半導(dǎo)體2016年在深圳設(shè)立,天眼查顯示其注冊資本為3556.8255萬人民幣,基本半導(dǎo)體致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。基本半導(dǎo)體建立了一支國際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新團隊,對碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試等各方面進行研發(fā),覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)。

基本半導(dǎo)體董事兼總經(jīng)理和巍巍博士介紹到:“今年基本半導(dǎo)體在產(chǎn)品開發(fā)、市場拓展和產(chǎn)業(yè)布局等方面都有比較大的突破。公司加快了產(chǎn)品更新迭代速度,產(chǎn)品性能持續(xù)優(yōu)化,產(chǎn)品類型進一步豐富。”

值得一提的是,雖然2020年整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受疫情沖擊,且中美貿(mào)易問題給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了更高的不確定性。但這也使得國產(chǎn)替代速度加快,基本半導(dǎo)體也在這波浪潮下登上發(fā)展新高峰。

基本半導(dǎo)體今年推出的內(nèi)絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級管可以簡化生產(chǎn)步驟,提升生產(chǎn)效率和整機的長期可靠性,改善困擾開關(guān)電源等產(chǎn)業(yè)界的安裝工藝問題。新推出的DFN8*8封裝碳化硅肖特基二級管適用于緊湊設(shè)計,相較于TO-252封裝和TO-263封裝寄生電感更低,可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、快充等多個領(lǐng)域。和巍巍表示:“基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在5G新能源汽車、高效電源等領(lǐng)域表現(xiàn)搶眼,市場覆蓋率和占有率也在穩(wěn)步提升,得到了客戶的廣泛認(rèn)可。”

目前除了特斯拉等海外汽車企業(yè)外,小鵬汽車、比亞迪等國產(chǎn)品牌開始加快在車上導(dǎo)入碳化硅功率器件。對于這一市場需求變化,和巍巍認(rèn)為主要歸功于碳化硅功率器件的性能,“碳化硅具有高頻、高功率密度、高壓、耐高溫等優(yōu)勢,應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域有助于提升整車的性能。新能源汽車是未來碳化硅最為重要的市場之一。基本半導(dǎo)體也在加緊對新能源汽車領(lǐng)域的布局。”

相較于國外供應(yīng)商,基本半導(dǎo)體可為客戶提供高性價的產(chǎn)品和定制化服務(wù)。公司建有專業(yè)的碳化硅功率器件工程實驗室,是專注于研發(fā)設(shè)計驗證、新材料技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)品功能試驗和可靠性試驗的綜合實驗室,本地化技術(shù)支持能力強。和巍巍表示,“在國內(nèi),基本半導(dǎo)體晶圓設(shè)計及封裝技術(shù)均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。早在2018年,我們就推出了通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET。此外,公司自主研發(fā)的碳化硅二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證。基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅功率模塊國際化研發(fā)團隊擁有30多年的模塊設(shè)計經(jīng)驗,同時基于在分立器件方面的技術(shù)積累,基本半導(dǎo)體研發(fā)的車規(guī)級全碳化硅功率模塊在柵極電輸入電容等多項參數(shù)上具有突出優(yōu)勢。”

基本半導(dǎo)體不僅注重增強創(chuàng)新能力,也十分關(guān)注產(chǎn)品質(zhì)量管控。基本半導(dǎo)體的全系碳化硅分立器件、模塊分別參照AEC-Q101、AQG-324進行可靠性測試,產(chǎn)品從設(shè)計到驗證都遵循車企標(biāo)準(zhǔn),嚴(yán)格按照車企要求打造車規(guī)級質(zhì)量體系。

得益于產(chǎn)品創(chuàng)新和技術(shù)革新,基本半導(dǎo)體一直保持高速成長的狀態(tài)。對于下一步的規(guī)劃,和巍巍表示:“目前基本半導(dǎo)體位于北京的晶圓產(chǎn)線已經(jīng)通線,南京外延產(chǎn)線基地將于2021年建成投產(chǎn),針對新能源汽車領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體籌備的汽車級碳化硅模塊產(chǎn)線預(yù)計于2021年投產(chǎn),建成后公司制造實力將得到大幅提升。基本半導(dǎo)體從全局和戰(zhàn)略高度出發(fā),通過加速布局產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié),進一步增強行業(yè)競爭力,改善供應(yīng)鏈抗風(fēng)險能力,提升服務(wù)質(zhì)量,全力打造國際一流的碳化硅IDM企業(yè)。”
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27772

    瀏覽量

    223047
  • IC
    IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    36

    文章

    5989

    瀏覽量

    176315
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1801

    瀏覽量

    90667
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?121次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?269次閱讀

    安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?202次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    意法半導(dǎo)體與雷諾集團簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

    ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?327次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?475次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?2273次閱讀

    基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E1B、工業(yè)級
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?881次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC<b class='flag-5'>國際</b>光伏展

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?1077次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?528次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場迎來高速增長

    電動汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場的擴張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后,乘著新能源的東風(fēng),在全球市場中迅速崛起。
    的頭像 發(fā)表于 04-16 13:42 ?502次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>元件市場迎來高速增長

    芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

    近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動半導(dǎo)體國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署
    的頭像 發(fā)表于 03-15 09:44 ?559次閱讀

    中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

    國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充,外國汽車品牌或與中國合
    發(fā)表于 03-14 14:19 ?1409次閱讀
    中國<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    耐壓,高可靠性。可以實現(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。 . 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1598次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
    主站蜘蛛池模板: 亚洲狠狠狠一区二区三区 | 456主播喷水在线观看 | 天天插天天狠天天透 | 特黄aaaaa日本大片免费看 | 色综合久久综精品 | 天天爱夜夜爱 | 亚洲美女激情视频 | 午夜欧美在线 | 日本三级黄视频 | 热re久久精品国产99热 | 久青草视频在线播放 | 久热福利视频 | 久久99国产精品久久99 | 久久久久国产精品四虎 | 轻点灬大ji巴太粗太长了啊h | 成年片色大黄全免费 | 色综合天天五月色 | 99久久香蕉国产综合影院 | 狠狠干狠狠艹 | 69精品在线观看 | 视频网站在线 | 欧美色图一区二区 | 性xxxxbbbb免费播放视频 | 天天操夜夜骑 | 欧美黑人xxxx猛牲大交 | 激情久久婷婷 | 女bbbbxxxx毛片视频丶 | 亚洲爱爱网站 | 日日噜噜噜夜夜爽爽狠狠视频 | 综合激情五月婷婷 | 免费永久欧美性色xo影院 | 丁香婷五月 | 大尺度视频网站久久久久久久久 | 欧美又黄又嫩大片a级 | 性夜影院爽黄a爽在线看香蕉 | 欧美日韩亚洲国内综合网俺 | 成人青草亚洲国产 | 看全色黄大色大片免费久久 | 亚洲va中文va欧美va爽爽 | 5566在线观看| 可以直接看的黄色网址 |