文件： Nd－YAG laser， passively Q－switched ．fpw

該模型與以上范例相似，但采用Cr：YAG晶體用于被動(dòng)調(diào)Q。可僅采用單光纖作為有源模型，可認(rèn)為是包括Nd3＋和Cr4＋離子的單光纖，研究整個(gè)諧振長(zhǎng)度內(nèi)的傳輸。這說明，無需采用通常的能級(jí)結(jié)構(gòu)，而是用戶對(duì)雙離子的自定義方式。每一個(gè)離子具有兩個(gè)相關(guān)的電子能級(jí)。（可忽略高能級(jí)，壽命短的能級(jí)。）

圖形如下：

圖1為在一定時(shí)間段內(nèi)，模擬泵浦相位的變化。傳輸持續(xù)不斷的進(jìn)行，直至諧振腔往返增益為正。

圖2為脈沖輻射之前，釹離子激發(fā)的橫向分布。

圖3模擬了脈沖的產(chǎn)生過程。在此，整個(gè)動(dòng)態(tài)模擬需考慮傳輸時(shí)間。該運(yùn)行較慢，需持續(xù)一段時(shí)間。因此，動(dòng)態(tài)模擬也需持續(xù)幾秒鐘。在對(duì)數(shù)坐標(biāo)軸上模擬輸出功率的變化。

圖4為小段時(shí)間范圍內(nèi)輸出功率的變化。

圖5為脈沖產(chǎn)生后，Nd3＋和Cr4＋離子激發(fā)的橫向分布。

圖6為脈沖重復(fù)率、能量、脈寬與泵浦功率的函數(shù)關(guān)系。可見，高泵浦功率僅增加脈沖重復(fù)頻率，但不改變脈沖固有參量。