2021中國IC風(fēng)云榜“年度獨(dú)角獸獎(jiǎng)”征集現(xiàn)已啟動(dòng)！入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為估值超過10億美元（或等值60億人民幣）的未上市的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評(píng)選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟129家會(huì)員單位及400多位半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任評(píng)選評(píng)委。獎(jiǎng)項(xiàng)的結(jié)果將在2021年1月份中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國IC 風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮上揭曉。

本期候選企業(yè)：英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡(jiǎn)稱：英諾賽科）

英諾賽科于2017年成立，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM模式，集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)，產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導(dǎo)體器件，IC及射頻器件。英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產(chǎn)品已陸續(xù)推出并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，為世界上唯一能夠同時(shí)量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。旗下?lián)碛杏⒅Z賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司及英諾賽科（珠海）科技有限公司兩家控股子公司。

英諾賽科于2015年12月在珠海建設(shè)珠海8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地，投資額超20億元，目前產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)定，產(chǎn)品持續(xù)出貨中；于2018年在蘇州吳江開始建造蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地，項(xiàng)目投資60億元，蘇州項(xiàng)目一期已于2020年9月完成廠房基本建設(shè)和生產(chǎn)設(shè)備搬入，2020年12實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2021年3月正式投產(chǎn)，項(xiàng)目建成后將成為全球產(chǎn)能最大的8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，全線投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的產(chǎn)能，可創(chuàng)造就業(yè)崗位2000名。

英諾賽科目前總?cè)藬?shù)近1000人，成功聚集了國內(nèi)外硅基氮化鎵領(lǐng)域頂尖的人才。核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)均來自于國際一流半導(dǎo)體企業(yè)，硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)豐富，專業(yè)領(lǐng)域涵蓋：寬禁帶半導(dǎo)體器件原理與器件設(shè)計(jì)、硅基氮化鎵與碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、硅基氮化鎵與碳化硅功率器件、射頻器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、MOCVD設(shè)備技術(shù)。

打破國際壟斷

英諾賽科主要產(chǎn)品包括30V-650V 硅基氮化鎵功率及射頻器件。其中30V-650V 系列芯片產(chǎn)品已推出并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，高壓650V 器件可應(yīng)用于汽車、工業(yè)電機(jī)等產(chǎn)業(yè)，低壓30-200V 器件可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，英諾賽科是世界上唯一能夠同時(shí)量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。可全面支持上述產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵功率芯片應(yīng)用供應(yīng)，打破國際壟斷。

英諾賽科與華為、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS 等國內(nèi)外廠商開展深入合作，功率器件和射頻器件的應(yīng)用開發(fā)。

英諾賽科對(duì)集微網(wǎng)表示，基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機(jī)快充已經(jīng)全面推向市場(chǎng)，英諾賽科成為中國唯一一家提供手機(jī)快充氮化鎵芯片的企業(yè)，打破了美國公司氮化鎵快充芯片在該領(lǐng)域的壟斷局面，公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產(chǎn)品出貨已達(dá)數(shù)百萬顆。

英諾賽科低壓氮化鎵產(chǎn)品已取代美國EPC 公司產(chǎn)品，成為中國領(lǐng)先的激光雷達(dá)企業(yè)禾賽科技的供應(yīng)商，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。

此外，英諾賽科已成功開發(fā)出應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品，可取代原有硅器件，大幅度提升系統(tǒng)效率，降低能耗及運(yùn)營成本。

英諾賽科與中國最為知名的5G射頻基站提供商開展廣泛戰(zhàn)略合作，積極開展應(yīng)用于5G 基站的硅基氮化鎵射頻芯片開發(fā)，并計(jì)劃于2021 年開始小批量生產(chǎn)，逐步實(shí)現(xiàn)5G 應(yīng)用領(lǐng)域射頻器件國產(chǎn)化。

實(shí)力秀肌肉

英諾賽科表示公司采用8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝，相對(duì)其他尺寸的生產(chǎn)線，公司8英寸的生產(chǎn)工藝的成本更低和技術(shù)工藝更優(yōu)及提高器件的可靠性。

英諾賽科結(jié)合德國愛思強(qiáng)MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圓制造線，解決了化合物半導(dǎo)體晶圓制造良率低、產(chǎn)能小、工藝不穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)瓶頸，成功實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵器件的大規(guī)模量產(chǎn)。

此外，英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，成功搭建了8英寸硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)，內(nèi)容涵蓋研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析。公司通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵單晶材料的世界級(jí)難題，在世界上首次實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵材料與器件的大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。

值得一提的是，英諾賽科在全球范圍內(nèi)首次成功實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)技術(shù)，技術(shù)全球領(lǐng)先。該量產(chǎn)技術(shù)為國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)，解決了國家在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域卡脖子問題，實(shí)現(xiàn)了零的突破。英諾賽科產(chǎn)品均具有自主核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)，截止到目前，英諾賽科已申請(qǐng)國內(nèi)外核心專利超過250項(xiàng)。

第三代半導(dǎo)體走上歷史舞臺(tái)

從20世紀(jì)60年代起，國際半導(dǎo)體工業(yè)已先后經(jīng)歷了第一代鍺、硅器件和第二代砷化鎵器件兩個(gè)時(shí)代。目前，電子器件主要基于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，器件的性能已經(jīng)達(dá)到硅材料上限，不能滿足進(jìn)一步提高電能轉(zhuǎn)換效率的要求，已無法解決5G通信、數(shù)據(jù)中心、汽車等領(lǐng)域?qū)ζ骷唠妷骸⒏咝堋⒏吣芰棵芏取⒏呖煽啃缘囊蟆Ｒ虼耍缘墳榇淼牡谌雽?dǎo)體器件正逐漸走上歷史舞臺(tái)。

英諾賽科表示，受制于成本因素，目前氮化鎵功率器件市場(chǎng)滲透率不到1%。未來，技術(shù)進(jìn)步將推動(dòng)氮化鎵功率器件的成本快速下降，逐漸成為低中壓功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。氮化鎵功率器件憑借其高頻特性和電源轉(zhuǎn)換效率，其出貨量預(yù)期有較強(qiáng)的增長(zhǎng)潛力，有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域替換硅功率器件。且隨著新能源汽車、5G 通信、數(shù)據(jù)中心、高速軌道交通的快速發(fā)展以及“新基建”的布局，氮化鎵功率器件必將面向更加廣闊的市場(chǎng)。

無論從技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)、應(yīng)用導(dǎo)向還是國家政策層面，第三代半導(dǎo)體氮化鎵具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。且中國作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，在市場(chǎng)風(fēng)口到來、產(chǎn)業(yè)火熱加碼布局等利好因素加持下，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)擊前行。隨著相關(guān)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品可靠性，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件在下游應(yīng)用市場(chǎng)的滲透率將日漸提升，并實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。

英諾賽科將一如既往堅(jiān)持創(chuàng)新研發(fā)，為“新基建”注入新動(dòng)能，加快5G通信、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展助力中國“芯”突破，在龐大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)口技術(shù)和產(chǎn)品的替代，讓中國成為第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵制造的世界第一。
責(zé)任編輯:tzh