基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱(chēng)氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開(kāi)關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。

2021年1月18日——基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱(chēng)氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開(kāi)關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。

兩個(gè)650V常關(guān)型GaN晶體管的導(dǎo)通電阻 （RDS（on））分別是150mΩ和225mΩ，每個(gè)晶體管都集成一個(gè)優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢(shì)，MasterGaN2可進(jìn)一步提升有源鉗位反激式變換器等拓?fù)潆娐返母吣苄А⑿◇w積和輕量化優(yōu)勢(shì)。

MasterGaN電力系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）系列在同一封裝中整合兩個(gè)GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和配套的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，并內(nèi)置了所有的必備的保護(hù)功能。設(shè)計(jì)人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設(shè)備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3V-15V邏輯信號(hào)，有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡(jiǎn)化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。

GaN技術(shù)正在推進(jìn)USB-PD適配器和智能手機(jī)充電器向快充方向發(fā)展。意法半導(dǎo)體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%，減重70%，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

內(nèi)置保護(hù)功能包括高低邊欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、專(zhuān)用關(guān)閉引腳和過(guò)熱保護(hù)。9mm x 9mm x 1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。

MasterGaN2現(xiàn)已量產(chǎn)。

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