科創(chuàng)板上市委2021年第10次審議會議結果顯示，普冉半導體（上海）股份有限公司（下稱“普冉半導體”）（首發(fā)）符合發(fā)行條件、上市條件和信息披露要求。

這也意味著，歷時9個月，存儲器芯片廠商普冉半導體成功闖關科創(chuàng)板，即將登陸資本市場的舞臺。

據悉，普冉半導體主要從事集成電路產品的研發(fā)設計和銷售，專注于NOR Flash和EERPOM兩大非易失性存儲器業(yè)務，致力于成為新型應用領域中小容量非易失性存儲器的產品和服務提供商。

大客戶優(yōu)勢顯著，研發(fā)實力強勁

作為一家專注于存儲器芯片研發(fā)和應用的廠商，目前普冉半導體已逐漸形成以 NOR Flash和 EEPROM 存儲器芯片為主的產品矩陣。其中，NOR Flash 產品在讀寫功耗、靜態(tài)功耗、擦寫速度和芯片面積等關鍵指標方面表現優(yōu)異，產品廣泛應用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控和指紋、TDDI（觸屏）、AMOLED 面板、可穿戴設備和安全芯片等領域。同時，伴隨著下游5G手機存量替換和手機多攝像頭配置趨勢，攝像頭模組及其存儲器芯片需求呈現爆發(fā)式增長，其EEPROM出貨量呈現明顯的增長趨勢。

基于此，2017至2020年第三季度，普冉半導體分別實現營業(yè)收入7，780.11萬元、17，825.27萬元、36，298.96萬元、46，369.32萬元，收入三年復合增長率為116.00%，分別實現凈利潤371.79萬元、1，337.37萬元、3，232.08萬元、4，702.39萬元，凈利潤三年復合增長率194.84%。

可以說，普冉半導體近年來在業(yè)績層面的突飛猛進，也得益于其在NOR Flash和EERPOM兩大業(yè)務領域的優(yōu)質客戶資源的加持。

據悉，在NOR Flash業(yè)務方面，普冉半導體已經和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務合作關系，產品應用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯想、惠普等品牌廠商。

在EEPROM業(yè)務方面，普冉半導體已經和舜宇、歐菲光、丘鈦、信利、合力泰、三星電機、三贏興、盛泰等行業(yè)內領先的手機攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等ODM廠商形成了穩(wěn)定的合作關系，產品廣泛應用于OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產品中。

除此之外，值得關注的是，普冉半導體在研發(fā)領域的持續(xù)投入，不僅保障了其收入和利潤的快速增長，也是進行技術升級，保持競爭力的重要法寶。

報告期內，普冉半導體的研發(fā)投入分別為1，290.91萬元、1，345.79萬元、3，114.11萬元和2，984.00萬元，累計研發(fā)投入金額占報告期公司累計營業(yè)收入比例為8.07%，研發(fā)投入占比較高。

普冉半導體基于自有知識產權和研發(fā)設計平臺，在NOR Flash和EEPROM領域都具有優(yōu)秀的設計能力，是目前市場上少數能夠利用SONOS工藝平臺完成NOR Flash存儲器芯片的研發(fā)設計的企業(yè)之一。

縱觀整個行業(yè)，近年來集成電路行業(yè)按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展演變，芯片的集成度和性能不斷改善升級。存儲器芯片產品的標準化程度較高，差異化競爭較小，因此技術升級是存儲器芯片公司間競爭的主要策略，研發(fā)實力則尤為關鍵。

在上述研發(fā)積淀之上，普冉半導體在研發(fā)層面也有著更長遠更深入的戰(zhàn)略布局。

募資加碼，持續(xù)深耕存儲芯片

世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）曾預測，存儲芯片將成為推動半導體行業(yè)增長的主要力量，而2021年存儲芯片將成為增長最快的品類，銷售額預計增長13.3%。

眾所周知，存儲芯片市場由DRAM、NAND Flash和NOR Flash、EEPROM 等細分市場組成，其中NOR Flash和EEPROM 市場也已經歷數十年的發(fā)展，其市場競爭日趨激烈。近年來，受藍牙耳機出貨量上升、智能手機多攝像頭配置趨勢等因素的影響，NOR Flash 和 EEPROM 市場規(guī)模呈現穩(wěn)定增長態(tài)勢，2019年全球NOR Flash和EEPROM市場規(guī)模約36億美元。

在此背景下，基于NOR Flash和EEPROM的市場需求空間不斷增長，作為此領域的新進入者，為加速技術、產品等迭代進程和發(fā)揮專利技術的先發(fā)優(yōu)勢，普冉半導體再次發(fā)力，持續(xù)深耕存儲芯片領域，并不斷募資加碼。

據悉，此次普冉半導體登陸科創(chuàng)板，擬募資3.45億元，將投向于閃存芯片升級研發(fā)及產業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產業(yè)化項目和總部基地及前沿技術研發(fā)項目。

在閃存芯片升級研發(fā)及產業(yè)化項目項目中，普冉半導體將采用領先于業(yè)界的工藝制程，對NOR Flash存儲器芯片開展設計研究，實現公司在先進制程、大容量Flash存儲器芯片領域的產業(yè)化。項目具體研發(fā)的產品包括：40nmNOR Flash系列存儲器芯片；NewGenNOR Flash系列存儲器芯片。本項目的產品將被應用于物聯網、藍牙、智能穿戴設備、指紋識別、智能家居、智能手機等領域。

在EEPROM芯片升級研發(fā)及產業(yè)化項目中，普冉半導體將對工業(yè)和消費級以及車載級EEPROM存儲器芯片開展設計研究，實現公司EEPROM存儲器芯片在多維下游應用領域的產業(yè)化。項目具體研發(fā)產品包括兩部分：其一，公司擬在當前技術積累下，對手機攝像頭模組等消費類EEPROM以及智能電表、智慧通信等工業(yè)類EEPROM存儲器芯片進行升級研發(fā)，使其達到更低工作電壓和更低功耗；其二，公司擬開發(fā)車載EEPROM產品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術，使其具備超高擦寫能力、超長數據保存時間等特點。

普冉半導體表示，閃存芯片的升級研發(fā)是完善公司在閃存芯片產品布局的必然選擇；EEPROM芯片的更新換代將有利于鞏固公司在細分領域的領先地位；總部基地及前沿技術研發(fā)項目是解決公司實驗場地和辦公場地不足問題的必然舉措，有助于公司在現有技術儲備的基礎上突破原有存儲器芯片性能并持續(xù)進行優(yōu)化。

談及未來發(fā)展戰(zhàn)略，普冉半導體表示，公司將專注于集成電路設計領域的科技創(chuàng)新，圍繞非易失存儲器領域，以NOR Flash和EEPROM為核心，不斷滿足客戶對高性能存儲器芯片的需求，在持續(xù)經營中實現企業(yè)的技術積累，保障公司經營業(yè)務的可持續(xù)發(fā)展。
責任編輯:tzh