為應對技術“卡脖子”的局面，華為除了采用“高庫存”戰(zhàn)略保證產品的正常交付，并且成立了哈勃科技投資有限公司，在堅持自研的前提下投資相關領域實現(xiàn)彎道超車。

在哈勃投資成立近兩年的時間里已經陸續(xù)投資多家半導體公司，而這次華為瞄準的卻是第二代半導體材料。在半導體材料領域一般劃分成三代，第一代半導體材料是以硅為主導，第二代則是以砷化鎵、磷化銦為代表，第三代則是以氮化鎵和碳化硅為主導。而此時華為哈勃“被迫營業(yè)”，這次瞄準的是一家砷化鎵及磷化銦襯底生產商。

近日根據(jù)工商信息顯示，云南鑫耀半導體材料有限公司發(fā)生工商變更，新增股東哈勃科技投資有限公司，公司注冊資本由9547萬元人民幣增加至1.25億元人民幣。在去年12月10日云南鑫耀所屬的云南鍺業(yè)曾發(fā)布公告稱，同意控股子鑫耀半導體接受哈勃科技投資有限公司以貨幣方式向其增資人民幣3000萬元。

從鑫耀半導體與華為之前的合作看，其試生產的6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片經華為海思半導體有限公司測試驗證，并通過了華為海思公司現(xiàn)場核查，已成為華為上游產業(yè)鏈的一環(huán)。而華為在未來物聯(lián)網(wǎng)領域的發(fā)力，對于第二代半導體材料的需求會更加迫切。

華為哈勃此前已經投資三家第三代半導體材料企業(yè)。如今增資鑫耀半導體，對于此次出手華為定將為日后爭奪芯片制造主動權起到了至關重要的作用。與其每天幻想光刻機的到來不如放棄幻想造芯片，對此大家怎么看呢？

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