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第二代CoolSiC 34mΩ 1200V

SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號：

■IMBG120R034M2H

產(chǎn)品特點

開關損耗極低

過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

短路耐受時間2μs

基準柵極閾值電壓，VGS(th)=4.2V

抗寄生開通能力強，可用0V柵極關斷電壓

用于硬換流的堅固體二極管

.XT互聯(lián)技術可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

應用價值

更高的能源效率

優(yōu)化散熱

更高的功率密度

新的穩(wěn)健性性能

高可靠性

競爭優(yōu)勢

最低RDS(on），最高輸出能力

市場上最精細的產(chǎn)品系列

過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

強大的短路額定值

雪崩穩(wěn)健性

應用領域

電動汽車充電

組串逆變器

光伏優(yōu)化器

在線式UPS/工業(yè)UPS

通用變頻器（GPD）