近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計(jì)，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。

新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有14 mm x 18.5 mm，結(jié)合了SMD封裝的組裝簡(jiǎn)便性和通孔技術(shù)的優(yōu)越散熱性能，確保設(shè)備在運(yùn)行中能夠保持最佳的熱量散發(fā)。這一設(shè)計(jì)旨在應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的高功率工業(yè)應(yīng)用中對(duì)離散SiC MOSFET的需求，包括電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源(UPS)等。

在許多高功率應(yīng)用中，溫度管理是至關(guān)重要的。Nexperia的SiC MOSFET通過采用頂面冷卻技術(shù)，顯著改善了熱性能，使其在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。這些器件同樣適用于電動(dòng)汽車的充電基礎(chǔ)設(shè)施，包括充電樁，成為支持可再生能源及電動(dòng)交通工具發(fā)展的重要組成部分。

Nexperia的X.PAK封裝不僅在熱效率上表現(xiàn)出色，還有效減輕了PCB上熱量散發(fā)的負(fù)面影響。這種封裝方法為表面貼裝元件提供了低電感特性，并支持自動(dòng)化電路板的組裝，進(jìn)而提高了整體設(shè)計(jì)的靈活性和可靠性。這對(duì)于需要高速生產(chǎn)和高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)代電子設(shè)備制造商而言，具有重要意義。

在性能方面，Nexperia的SiC MOSFET繼續(xù)秉持其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位，特別是在RDS(on)這一關(guān)鍵指標(biāo)上。RDS(on)值直接影響到器件的導(dǎo)通損耗，然而許多制造商往往只關(guān)注其標(biāo)稱值。Nexperia意識(shí)到，隨著工作溫度的上升，RDS(on)值可能會(huì)顯著增加，導(dǎo)致導(dǎo)通損耗加劇。相比之下，Nexperia的SiC MOSFET在25 °C至175 °C的廣泛操作范圍內(nèi)，RDS(on)值的增加僅為38%，為用戶提供了更高的效率和更低的能耗。

此次推出的初始產(chǎn)品陣容包括RDS(on)值為30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ的三款器件，型號(hào)分別為NSF030120T2A0、NSF040120T2A1和NSF060120T2A0。此外，Nexperia還計(jì)劃在2025年4月推出一款17 mΩ的變體，以進(jìn)一步豐富其產(chǎn)品線。未來，該公司將于2025年繼續(xù)擴(kuò)展X.PAK封裝的產(chǎn)品組合，推出符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET，并引入更多RDS(on)分類，比如80 mΩ等，以滿足更廣泛的市場(chǎng)需求。

通過這些創(chuàng)新，Nexperia不僅增強(qiáng)了在SiC MOSFET市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力，還為高功率和高效能的工業(yè)應(yīng)用提供了可靠的解決方案，推動(dòng)了電子設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展。