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新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-07-01 17:03 ? 次閱讀
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新品

采用D2PAK-7封裝的CoolSiC

650VG2 SiC MOSFET

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第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝(TO-263-7),該系列導(dǎo)通電阻(RDS(on))范圍擴(kuò)展至7mΩ至75mΩ等10款產(chǎn)品可選,為用戶提供更精準(zhǔn)的選擇。


基于第一代技術(shù),第二代CoolSiC MOSFET 650V G2采用D2PAK-7封裝,進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)設(shè)計,提供更高性價比、更高效率、更緊湊且更可靠的解決方案。第二代產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實現(xiàn)了顯著提升,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洌?a target="_blank">AC-DC、DC-DC和DC-AC等常見功率轉(zhuǎn)換器的理想選擇。


產(chǎn)品型號:

IMBG65R010M2HXTMA1

IMBG65R026M2HXTMA1

IMBG65R033M2HXTMA1

IMBG65R060M2HXTMA1


產(chǎn)品框圖

35cea7fc-565a-11f0-b47f-92fbcf53809c.png35e0eef8-565a-11f0-b47f-92fbcf53809c.png


產(chǎn)品特點


卓越的品質(zhì)因數(shù)(FOMs)

同類最優(yōu)導(dǎo)通電阻(RDS(on))

高可靠性、高品質(zhì)

靈活的驅(qū)動電壓范圍

最優(yōu)抗誤開啟能力

支持單極驅(qū)動(VGS(off)=0)

先進(jìn)的.XT擴(kuò)散焊接技術(shù)


應(yīng)用價值


降低BOM成本

單位成本最優(yōu)系統(tǒng)性能

最高可靠性

頂尖效率與功率密度

易于使用

兼容現(xiàn)有供應(yīng)商全生態(tài)

支持無風(fēng)扇/散熱器設(shè)計


應(yīng)用領(lǐng)域


單相組串式逆變器

儲能系統(tǒng)

電動汽車充電

電源轉(zhuǎn)換

固態(tài)斷路器


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