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      新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產品

      英飛凌工業半導體 ? 2025-07-08 17:08 ? 次閱讀
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      新品

      采用ThinTOLL 8x8封裝的

      CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET

      新增26mΩ，33mΩ產品

      1d82b270-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


      第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件產品線現擴充ThinTOLL 8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更精細的選型梯度。


      ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發揮CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。該封裝技術突破了8x8尺寸的熱循環極限，并通過優化.XT互連結構顯著降低熱阻，在保持8x8mm超小尺寸的同時，充分發揮了碳化硅材料的性能優勢，實現了功率密度的革命性突破。


      產品型號：

      ■IMTA65R026M2H

      ■IMTA65R033M2H


      框圖


      1da7c2ae-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png1db9594c-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


      產品特點


      卓越的品質因數（FOMs）

      同類最優導通電阻（RDS(on)）

      高可靠性、高品質

      靈活的驅動電壓范圍

      支持單極驅動（VGS(off)=0）

      先進的.XT擴散焊封裝互連技術

      全系列8x8封裝FET引腳兼容

      熱循環可靠性TCoB提升4倍


      應用價值


      BOM成本優化

      單位成本最優系統性能

      最高可靠性，延長使用壽命

      頂尖能效與功率密度

      緊湊尺寸，更高功率密度

      高度集成的子卡設計


      應用領域


      智能電視系統解決方案

      暖通空調

      家用電器

      微型逆變器解決方案

      電能轉換


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