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CoolSiC MOSFET 650V G2,
7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

CoolSiC MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝,以第1代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。
產(chǎn)品型號:
■IMW65R007M2H
■IMZA65R007M2H
產(chǎn)品特點(diǎn)
優(yōu)異的性能指標(biāo)(FOM)
個位數(shù)RDS(on)
堅(jiān)固耐用,整體質(zhì)量高
靈活的驅(qū)動電壓范圍
支持單電源驅(qū)動,VGS(off)=0
避免誤開通
.XT技術(shù)改進(jìn)封裝互聯(lián)
應(yīng)用價(jià)值
節(jié)省物料清單
最大限度地提高單位成本的系統(tǒng)性能
最高可靠性
實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度
易于使用
與現(xiàn)有供應(yīng)商完全兼容
允許無需風(fēng)扇或無散熱器設(shè)計(jì)
競爭優(yōu)勢
開關(guān)損耗極低
標(biāo)桿性柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V
柵極關(guān)斷電壓為0V,可抵御寄生導(dǎo)通
驅(qū)動電壓靈活,與正負(fù)電源驅(qū)動兼容
用于硬換流的堅(jiān)固體二極管
.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能
競爭優(yōu)勢
光伏逆變器
儲能系統(tǒng)
UPS
電動汽車充電
電機(jī)驅(qū)動
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