2025年4月16日,在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發布了第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品,性能達到國際頭部領先水平。方正微電子第二代車規主驅SiC MOS在第一代的高可靠基礎上,進一步提升性能,縮小Die size,提升FOM值,實現了在行業主流芯片面積需求條件下性能提升,可靠性3倍于行業通用認證要求:高導通電阻(13mΩ)、高擊穿電壓(>1500V)、高閾值電壓(3V)、高可靠性(>3000小時)以及可支持1000VDC電驅系統”等特點。
這標志著方正微電子作為國內領先的三代半IDM企業,在車規SiC MOS領域,持續引領中國三代半發展!
方正微電子的車規主驅第一代SiC MOS早已大規模上車,預計2025年將實現上乘用車主驅幾十萬輛車的新跨越。方正微電子車規/工規SiC全系產品聚焦新能源車、光儲充、UPS、工業電源、AI服務器以及新興應用機器人、eVTOL、電動船舶等應用領域,已大規模出貨,服務行業客戶。
(備注:方正微電子第二代車規主驅SiC MOS對標行業頭部友商最新的第四代車規主驅產品)
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原文標題:重磅!方正微電子正式發布車規主驅第二代SiC MOS 1200V 13mΩ產品
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