近日，方正微電子發布了其在第三代半導體領域的最新進展。作為該領域的IDM（垂直整合制造）企業，方正微電子目前擁有兩個fab（制造工廠）。

其中，Fab1已經實現了SiC（碳化硅）產能9000片/月（6英寸），并且預計在2024年底，產能將達到1.4萬片/月。更令人矚目的是，到2025年，方正微電子將具備16.8萬片/年的車規SiC MOS生產能力，這一數字不僅在國內領先，更彰顯了公司在全球市場的競爭力。

此外，方正微電子在GaN（氮化鎵）方面也有不俗的表現，當前產能已達4000片/月。為了進一步提升產能，方正微電子正在加速推進Fab2的8英寸SiC生產線建設，預計將于2024年底通線，長遠規劃產能高達6萬片/月。

值得一提的是，方正微電子當前已建成的車規SiC MOS生產能力在中國排名第一，這不僅是對公司技術實力的肯定，更為中國半導體產業的發展注入了新的活力。

未來，方正微電子將繼續加大在第三代半導體領域的投入，不斷提升技術水平和產能，為全球客戶提供更加優質的產品和服務。