10月16日，方正微電子宣布，作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM（集成設(shè)備制造）企業(yè)，公司現(xiàn)擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地（fab）。其中，F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月9000片6英寸SiC（碳化硅）晶圓的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)到2024年底將增至1.4萬(wàn)片/月，并在2025年具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車規(guī)級(jí)SiC MOS的生產(chǎn)能力。同時(shí)，GaN（氮化鎵）產(chǎn)能已達(dá)4000片/月。此外，方正微電子還計(jì)劃在2024年底啟動(dòng)Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線，長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能為每月6萬(wàn)片。值得注意的是，方正微電子目前所建成的車規(guī)級(jí)SiC MOS生產(chǎn)能力在中國(guó)位居首位。

方正微電子的產(chǎn)品線已全面覆蓋新能源汽車的各種應(yīng)用場(chǎng)景，包括主驅(qū)逆變控制器、OBC（車載充電機(jī)）、DC/DC轉(zhuǎn)換器、空調(diào)壓縮機(jī)以及充電樁等。特別是其車規(guī)級(jí)1200V SiC MOS產(chǎn)品，已在新能源汽車主驅(qū)控制器上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

方正微電子表示，其車規(guī)級(jí)1200V SiC MOS全系產(chǎn)品的性能已達(dá)到國(guó)際主流水平。以1200V/16mΩ和1200V/20mΩ的主驅(qū)控制器應(yīng)用芯片為例，這些芯片在Vgs（柵源電壓）、Rds（漏源電阻）、Igs（柵極啟動(dòng)電流）、Idss（漏源飽和電流）、Rth（熱阻）和Qg（柵極電荷）等核心性能指標(biāo)上，均可與國(guó)際高端新能源車所應(yīng)用的SiC MOS產(chǎn)品相媲美，部分指標(biāo)甚至更為領(lǐng)先，完全滿足新能源汽車的應(yīng)用需求。

另外，方正微電子的1200V工規(guī)級(jí)SiC MOS/SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）系列產(chǎn)品自2023年一季度起已開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、充電、UPS（不間斷電源）以及工業(yè)電源等領(lǐng)域，至今已出貨超過(guò)4萬(wàn)片SiC晶圓。