1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡稱“納維科技”)總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。
項目占地面積超14000平方米,總建筑面積超34000平方米,將建設成為國際前三的氮化鎵(GaN)單晶襯底研發基地與高端產品生產基地,預計年產氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。
據蘇州納米城消息,該公司實現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產、完成了4英寸產品的工程化技術開發、突破了6英寸產品的關鍵核心技術,成為國內唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶的企業,產品性能國際領先,并先后獲得蘇州市首屆姑蘇雙創人才、園區首批科技領軍人才企業等榮譽。
納維科技董事長徐科表示,“我們將一如既往、繼續深耕細作,努力實踐每畝200萬元稅收的先行先試,打造出國際前三的GaN單晶襯底的研發基地與高端產品生產基地!”
目前,蘇州工業園區已培育了納維科技等一批創新勢頭強勁的企業,第三代半導體上、中、下游產業鏈規模初顯;集聚了全國80%的氮化鎵領域“國家級重點人才”,掌握了一批核心自主知識產權,已成為國內最具影響力的人才和技術高地。
責任編輯:xj
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