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2020年度H01L小類半導(dǎo)體器件專利的分析

戰(zhàn)略科技前沿 ? 來(lái)源:集成電路研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)情報(bào) ? 作者:集成電路研發(fā)競(jìng)爭(zhēng) ? 2021-03-02 14:51 ? 次閱讀

本報(bào)告基于國(guó)際專利分類(IPC)中“H01L小類”半導(dǎo)體器件類2020年公開(kāi)/公告專利進(jìn)行分析,專利數(shù)據(jù)以Derwent專利家族數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。分析人員基于Derwent手工代碼(Derwent手工代碼由Derwent數(shù)據(jù)庫(kù)的標(biāo)引人員分配給專利,用于表示某項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及其應(yīng)用)對(duì)涉及的H01L半導(dǎo)體器件類進(jìn)行人工再分類,包含:設(shè)計(jì)類、工藝類、封裝類、材料類、設(shè)備儀器類、分立器件類等六大類,統(tǒng)計(jì)分析主要涉及技術(shù)、國(guó)家、機(jī)構(gòu)三部分內(nèi)容。

2020年度H01L半導(dǎo)體器件公開(kāi)專利,以Derwent專利家族統(tǒng)計(jì)共161871項(xiàng),其中:設(shè)計(jì)類涉及36441項(xiàng)專利家族、工藝類涉及87587項(xiàng)專利家族、封裝測(cè)試類涉及64385項(xiàng)專利家族、材料類涉及44159項(xiàng)專利家族、設(shè)備儀器類涉及17706項(xiàng)專利家族、分立器件類涉及38116項(xiàng)專利家族。

2020年度H01L類專利研發(fā)熱點(diǎn)全景圖 01專利申請(qǐng)時(shí)間趨勢(shì)

專利的最早優(yōu)先權(quán)年在一定程度上反映專利技術(shù)的最早出現(xiàn)時(shí)間。2020年度H01L半導(dǎo)體器件類公開(kāi)專利涉及161871項(xiàng)Derwent專利家族。最早優(yōu)先權(quán)年為近24個(gè)月的專利占比30.14%,這部分專利主要為提前公開(kāi)的最新專利。最早優(yōu)先權(quán)年較早(2014年前)的專利占比14.10%,該部分主要圍繞技術(shù)進(jìn)行地域布局或者技術(shù)演進(jìn)布局,該部分專利的家族成員個(gè)數(shù)較多,2020年度H01L專利最早優(yōu)先權(quán)年分布如圖1所示。

圖1 2020年度H01L專利最早優(yōu)先權(quán)年分布 02專利申請(qǐng)技術(shù)構(gòu)成分析

通過(guò)德溫特手工代碼分析,由圖2和表1可以看出,2020年H01L專利技術(shù)點(diǎn)主要集中在:①A12-E07C(集成電路聚合物材料)方向,其公開(kāi)/公告相關(guān)專利11544項(xiàng),主要專利申請(qǐng)人為三星公司、DISCO公司、LG公司;②U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向,其公開(kāi)/公告相關(guān)專利10903項(xiàng),主要專利申請(qǐng)人為三星公司、LG公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司;③U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)方向,其公開(kāi)/公告相關(guān)專利10393項(xiàng),主要專利申請(qǐng)人為三星公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司、TCL華星光電公司;④U11-C05C(電極和互連層的制造工藝)方向,其公開(kāi)/公告相關(guān)專利8588項(xiàng),主要專利申請(qǐng)人為臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司、TCL華星光電公司、京東方科技集團(tuán)股份有限公司。

圖2 2020年度H01L專利TOP25德溫特手工代碼表1 TOP25德溫特手工代碼具體內(nèi)容與主要機(jī)構(gòu)

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03專利申請(qǐng)國(guó)家/地區(qū)分布

(1)專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)與受理國(guó)家/地區(qū)對(duì)比分析專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)在一定程度上信息反映了某項(xiàng)技術(shù)的起源地,圖3(a)表示H01L專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)分布情況,從圖中可以看出,在2020年,中國(guó)大陸地區(qū)H01L專利的全球占比為31%,明顯高于日本(24%),美國(guó)位居第三,全球占比為21%,韓國(guó)排名第四,全球占比為13%,他們是H01L專利的主要產(chǎn)出者。 專利受理國(guó)家/地區(qū)在一定程度上反映了某一技術(shù)最終流入的市場(chǎng),圖3(b)表示H01L專利受理國(guó)家/地區(qū)分布情況。從圖中可以看出,2020年,美國(guó)和中國(guó)大陸地區(qū)是H01L領(lǐng)域全球最受重視的技術(shù)市場(chǎng),二者的全球占比分別為31%和30%;日本位居第四,占比8%。

國(guó)際申請(qǐng)所占比例19%,這在一定程度上反映申請(qǐng)人通過(guò)世界專利申請(qǐng)進(jìn)行的國(guó)際布局,重視技術(shù)的輸出及國(guó)外市場(chǎng)。 結(jié)合來(lái)看,通過(guò)專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)和受理國(guó)家/地區(qū)的對(duì)比發(fā)現(xiàn),中國(guó)大陸地區(qū)、日本和韓國(guó)在最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)中占比皆高于受理地占比,說(shuō)明這些國(guó)家在H01L專利技術(shù)產(chǎn)出多于技術(shù)流入,屬于技術(shù)輸出國(guó);日本的技術(shù)輸出最為明顯,在最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)中全球占比24%,而在受理地中全球占比8%。美國(guó)在最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)中全球占比21%,而在受理地中全球占比31%,說(shuō)明美國(guó)在H01L專利技術(shù)流入多于技術(shù)產(chǎn)出,屬于技術(shù)流入國(guó)。

(a)

(b)

圖3 (a)專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū),(b)專利受理國(guó)家/地區(qū)

(2)專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)技術(shù)對(duì)比分析表2表示H01L專利TOP25專利最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)主要技術(shù)類別。排名首位的技術(shù)優(yōu)先國(guó)為中國(guó)大陸地區(qū),主要技術(shù)方向有U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)、U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)和U11-C05C(電極和互連層的制造工藝)等,主要專利申請(qǐng)人為京東方科技集團(tuán)股份有限公司、TCL華星光電公司和中芯國(guó)際;位居第二的技術(shù)優(yōu)先國(guó)為日本,主要技術(shù)方向有A12-E07C(集成電路聚合物材料)、L03-H05(單級(jí)晶體管制造工藝)和L04-C16(半導(dǎo)體熱處理加工工藝)等,主要專利申請(qǐng)人為半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室、東京電子公司和索尼公司等;美國(guó)排名第三,主要技術(shù)方向?yàn)長(zhǎng)04-C11C1(柵電極制造工藝)、L04-C12(絕緣層和鈍化層的加工工藝)和L04-E01(與晶體管有關(guān)的玻璃、陶瓷和耐火材料)等,主要專利申請(qǐng)人為臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司、IBM公司和應(yīng)用材料公司;韓國(guó)作為技術(shù)優(yōu)先國(guó)的主要技術(shù)方向?yàn)閁12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)、U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)和L04-E03(半導(dǎo)體發(fā)光器件),主要專利申請(qǐng)人為三星電子公司、LG集團(tuán)和SK海力士公司。 作為技術(shù)優(yōu)先國(guó)的各國(guó)主要技術(shù)研發(fā)方向受主要專利申請(qǐng)人的影響有所差異,由表2可以看出,在2020年H01L專利中主流研發(fā)國(guó)家布局集中在半導(dǎo)體器件方向。中國(guó)大陸地區(qū)及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)均在U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)研發(fā)方向有所建樹(shù),日本、美國(guó)及反映技術(shù)輸出布局的世界專利申請(qǐng)均在半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)方向進(jìn)行研發(fā)布局,詳見(jiàn)表2所示。表2 2020年H01L專利TOP25最早優(yōu)先權(quán)國(guó)家/地區(qū)主要技術(shù)類別

04專利申請(qǐng)人分析

(1)主要專利申請(qǐng)人專利數(shù)分析專利申請(qǐng)人分析主要是分析H01L專利申請(qǐng)人擁有的專利數(shù)量,從而遴選出主要專利申請(qǐng)人,作為后續(xù)多維組合分析、評(píng)價(jià)的基礎(chǔ),通過(guò)對(duì)清洗后的專利家族的專利申請(qǐng)人分析,可以了解H01L的主要研發(fā)機(jī)構(gòu)。根據(jù)H01L專利數(shù)量統(tǒng)計(jì)分析,表3列出在2020年公開(kāi)專利大于500項(xiàng)的前52位專利申請(qǐng)人,可以看出,前52位中46%的企業(yè)來(lái)自日本,來(lái)自中國(guó)大陸地區(qū)的企業(yè)數(shù)為9家,排名前三位的有2家企業(yè)來(lái)自韓國(guó)。排名第一的是韓國(guó)的三星公司,排名第二的是中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,2020年公開(kāi)/公告專利分別涉及8733項(xiàng)、5215項(xiàng)專利家族;LG公司位列第三,2020年公開(kāi)/公告專利的專利家族數(shù)為5089項(xiàng);中國(guó)大陸的京東方科技集團(tuán)股份有限公司和TCL華星光電公司分別位列第四、第五,2020年專利公開(kāi)/公告專利分別涉及4524項(xiàng)和3784項(xiàng);美國(guó)的IBM公司2020年專利公開(kāi)/公告數(shù)為2420項(xiàng),位列第六。表3 2020年H01L專利TOP52專利申請(qǐng)人排名

(2)主要專利申請(qǐng)人技術(shù)對(duì)比主要專利申請(qǐng)人技術(shù)對(duì)比分析是對(duì)主要專利申請(qǐng)人投資技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行對(duì)比分析,透析各專利申請(qǐng)人的技術(shù)核心,從而分析各專利申請(qǐng)人的技術(shù)發(fā)展策略。圖4表示H01L TOP52位專利申請(qǐng)人主要技術(shù)對(duì)比圖。 通過(guò)對(duì)比分析,可以看出在2020年公開(kāi)的H01L專利中,三星公司和LG公司在U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向布局較多,專利數(shù)分別為2028項(xiàng)和1775項(xiàng),此外,它們技術(shù)方向布局廣泛且各方向?qū)@靠捎^。

京東方科技股份有限公司在U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)和U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)方向布局較多方向布局較多,專利數(shù)分別為1812項(xiàng)和1651項(xiàng)。臺(tái)灣半導(dǎo)體制造有限公司偏重于U11-C18A3(單級(jí)晶體管制造工藝)和L04-C11C1(柵電極制造工藝)方向,專利數(shù)分別為841項(xiàng)、801項(xiàng)。TCL華星光電公司在U12-A01A1E(發(fā)光二極管加工工藝)和U12-A01A7(發(fā)光二極管顯示器)方向研究突出,專利數(shù)分別為1448項(xiàng)和1420項(xiàng)。

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    日前,新吳區(qū)應(yīng)急管理局同新吳區(qū)應(yīng)急與安全生產(chǎn)協(xié)會(huì)舉辦了一屆二次會(huì)員大會(huì)暨年會(huì),華進(jìn)半導(dǎo)體作為會(huì)員單位受邀參加本次會(huì)議。基于2024年度在公司安全生產(chǎn)管理工作方面的出色表現(xiàn),華進(jìn)半導(dǎo)體被新吳區(qū)應(yīng)急管理局與安全生產(chǎn)協(xié)會(huì)綜合評(píng)定為20
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:17 ?686次閱讀

    Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)

    在2024年度全球電子成就獎(jiǎng)的頒獎(jiǎng)典禮上,安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-12 11:05 ?801次閱讀

    中國(guó)半導(dǎo)體專利增長(zhǎng)42%達(dá)全球第一

    10月23日消息,據(jù)外媒The register援引知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司 Mathys & Squire 的數(shù)據(jù)稱,近年來(lái)全球半導(dǎo)體專利申請(qǐng)量持續(xù)激增,2023-2024年度全球半導(dǎo)體專利
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:35 ?765次閱讀
    中國(guó)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>專利</b>增長(zhǎng)42%達(dá)全球第一

    炬芯科技ATS2835P(L)榮獲“2023-2024年度半導(dǎo)體市場(chǎng)最佳產(chǎn)品”

    近日,為期3天的2024世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京國(guó)際博覽中心盛大啟幕!開(kāi)展首日,同期舉辦了2024集成電路高質(zhì)量發(fā)展論壇暨兩優(yōu)一先頒獎(jiǎng)典禮,炬芯科技股份有限公司低延遲高音質(zhì)藍(lán)牙音頻SoC芯片ATS2835P(L
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