10月23日消息,據外媒The register援引知識產權公司 Mathys & Squire 的數據稱,近年來全球半導體專利申請量持續(xù)激增,2023年-2024年度全球半導體專利申請量同比增長22%,達到80892項,同比增長22%。其中,中國的半導體申請量從 32,840 件激增至 46,591 件,增幅高達 42%,超過其他所有國家和地區(qū)。
有媒體報道稱,這一顯著增長的背后,主要由于是美國對中國半導體出口管制,促使中國加大了對本土半導體研究與開發(fā)的投資。
中國官方也已經明確表示——科技行業(yè)必須自主創(chuàng)新,以避免陷入半導體依賴陷阱。半導體已被推到技術優(yōu)先事項清單的首位,其成果正在專利申請數量中體現出來。
但這一增長并不僅僅受到地緣政治因素的影響,還有AI技術的快速發(fā)展,推動了全球芯片制造商,包括中國的公司,爭相申請下一代AI硬件技術的專利。
與此同時,在《通脹削減法案》的推動下,2023-2024年美國半導體行業(yè)專利申請量也同比增長了9%,達到了21269項。
報告還指出,隨著美國《芯片與科學法案》向芯片制造業(yè)投入資金(臺積電的亞利桑那州工廠就是例子),美國渴望在加大研發(fā)力度的同時,保持其半導體技術的領先和供應鏈的穩(wěn)固。
在半導體制造設備方面,雖然目前在關鍵的光刻機領域,ASML一家獨大,并且其還是全球唯一的EUV(極紫外)光刻機供應商,但是新的國產DUV光刻機(“套刻≤8nm)的曝光,以及國內涌現出的諸多新不同技術路線的EUV光刻相關專利,也反應了國內EUV技術研究的進步。
比如,國家知識產權局2023年6月公布的由中國科學院上海高等研究院申請的《極紫外光源裝置》的發(fā)明專利,該發(fā)明提供了一種極紫外光源裝置,以產生平均功率千瓦量級、全相干、穩(wěn)定的EUV光。(與ASML的LPP光源是完全不同)。
【近期會議】
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審核編輯 黃宇
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