3月2日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開發(fā)行 A 股股票預(yù)案（以下簡稱預(yù)案），計劃非公開發(fā)行股票，募集資金總額不超過35億元，其中，20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，7億元用于功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。

斯達(dá)半導(dǎo)體介紹，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的項目，擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。

據(jù)了解，此次項目，斯達(dá)半導(dǎo)體將利用現(xiàn)有廠房實施生產(chǎn)線自動化改造，購置全自動劃片機(jī)、在線式全自動印刷機(jī)、在線式全自動貼片機(jī)、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機(jī)等設(shè)備，實施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。項目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計將形成新增年產(chǎn) 400萬片的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)能力。

“碳化硅是功率半導(dǎo)體未來趨勢，特別是在高壓大功率領(lǐng)域，有著無可比擬的優(yōu)勢，可以廣泛應(yīng)用于新能源汽車、交通、工業(yè)等領(lǐng)域。此外，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)與國際相比，并沒有像硅基半導(dǎo)體差距那么大。斯達(dá)半導(dǎo)體此次布局，有希望縮短在該領(lǐng)域與國際巨頭的差距。” 天津集成電路行業(yè)協(xié)會顧問、創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣向記者說道。第三代半導(dǎo)體具備高頻、高效、高功率、耐高溫高壓等特點，符合節(jié)能減排、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求。此次投資，意味著斯達(dá)半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大以 IGBT模塊、SiC模塊為代表的功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能，從而能夠有效穩(wěn)固公司行業(yè)地位。

中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，智研咨詢發(fā)布的《2020—2026年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場運(yùn)作模式及投資前景展望報告》指出，目前中國的功率半導(dǎo)體市場規(guī)模占全球市場規(guī)模35%左右，是全球最大的功率半導(dǎo)體市場，約為940.8 億元。

對于未來的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景，步日欣認(rèn)為，功率半導(dǎo)體是一個相對來說較為穩(wěn)定的市場。在傳統(tǒng)的硅基功率器件市場，比如IGBT、MOSFET等，市場需求和市場格局都趨向于成熟穩(wěn)定。但隨著一些新興行業(yè)的產(chǎn)生，比如新能源汽車、5G新應(yīng)用等，會對功率半導(dǎo)體的性能提出新的要求，進(jìn)一步提升產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
責(zé)任編輯:tzh