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基于CMOS工藝晶體管PN結溫度效應的高精度低功耗數(shù)字溫度傳感器NST112

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2021-03-06 09:41 ? 次閱讀

模擬信號芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)借助基于CMOS工藝晶體管PN結溫度效應的高精度低功耗數(shù)字溫度傳感器NST112,進一步豐富了其溫度傳感器產品種類,滿足更多小尺寸低功耗應用場景需求。

NST112采用納芯微高性能、高可靠性CMOS測溫技術,能夠很好地兼容外商產品,無縫實現(xiàn)國產化替代。納芯微作為國產芯片提供商,能夠更好地保證供應可靠性,降低客戶供應鏈風險。NST112具有高輸出精度、高線性度、低功耗以及高集成度等特性,無需額外電路,可有效降低整體方案成本,是無源熱敏電阻的有效替代方案。除此以外,NST112具有強大的ESD保護能力以及豐富的封裝形式:其SOT563封裝適用于工控板卡測溫、服務器測溫、個人電腦測溫、SSD測溫、IoT溫度監(jiān)測以及電池溫度監(jiān)控等應用場景,更有DSBGA超小封裝適合各類便攜式穿戴設備測溫,如智能手環(huán)、智能手表、無線藍牙耳機、智能眼鏡等。

主要特性:

兼容性強——NST112兼容I2C和SMBus的接口,具有可編程警報和SMBus重置功能,單路總線可最多支持4個器件,通信方式簡單便利,可移植性更高。

精度高——NST112為高線性度模擬輸出,無需校準。NST112具有0.0625℃的超高分辨率,常溫下輸出精度高達±0.1℃(typ),全溫范圍內輸出精度在± 1.5℃(max)以內。

運行功耗低——NST112支持default模式選擇,功耗低至2.9μA@1Hz,測溫精準,自發(fā)熱小。

ESD耐壓性能強——NST112具有±7KV 的超高HBM耐壓,更好地保護器件免受靜電破壞。

封裝選擇多樣——NST112提供工業(yè)標準的SOT563封裝及0.75mm×0.75mm的DSBGA(4)超小封裝,可適合多種應用場景,幾乎不占布局空間。

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NST112功能框圖

責任編輯:lq

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原文標題:芯品推薦 | 0.56mm2 高精度、低功耗數(shù)字溫度傳感器

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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