在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子工程網(wǎng) ? 作者:電子工程網(wǎng) ? 2021-03-15 15:01 ? 次閱讀

序言

當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通,這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)。

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

圖1:下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通

寄生米勒電容引起的導(dǎo)通

在半橋拓?fù)渲校?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通, 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S2的寄生米勒電容CCG 、門極驅(qū)動(dòng)電阻RG 、內(nèi)部集成門極驅(qū)動(dòng)電阻RDRIVER ,如圖1所示。電流大小大致可以如下公式進(jìn)行估算:

這個(gè)電流產(chǎn)生使門極電阻兩端產(chǎn)生電壓差,這個(gè)電壓如果超過IGBT的門極驅(qū)動(dòng)門限閾值,將導(dǎo)致寄生導(dǎo)通。設(shè)計(jì)工程師應(yīng)該意識(shí)到IGBT節(jié)溫上升會(huì)導(dǎo)致IGBT門極驅(qū)動(dòng)閾值會(huì)有所下降,通常就是mv/℃級的。

當(dāng)下管IGBT(S2)導(dǎo)通時(shí),寄生米勒電容引起的導(dǎo)通同樣會(huì)發(fā)生在S1上。

減緩米勒效應(yīng)的解決方法

通常有三種傳統(tǒng)的方法來解決以上問題:第一種方法是改變門極電阻(如圖2);第二種方法是在在門極G和射極E之間增加電容(如圖3);第三種方法是采用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)(如圖4)。除此之外,還有一種簡單而有效的解決方案即有源鉗位技術(shù)(如圖5)。

獨(dú)立的門極開通和關(guān)斷電阻

門極導(dǎo)通電阻RGON影響IGBT導(dǎo)通期間的門極充電電壓和電流;增大這個(gè)電阻將減小門極充電的電壓和電流,但會(huì)增加開通損耗。

寄生米勒電容引起的導(dǎo)通通過減小關(guān)斷電阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同樣也能減少IGBT的關(guān)斷損耗,然而需要付出的代價(jià)是在關(guān)斷期間由于雜散電感會(huì)產(chǎn)生很高的過壓尖峰和門極震蕩。

14193179933768.jpg

圖2:獨(dú)立的門極開通和關(guān)斷電阻

增加G-E間電容以限制米勒電流

G-E間增加電容CG將影響IGBT開關(guān)的特性。CG分擔(dān)了米勒電容產(chǎn)生的門極充電電流,鑒于這種情況,IGBT的總的輸入電容為CG||CG’。門極充電要達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的閾值電壓需要更多的電荷(如圖3)。

14193180573768.jpg

圖3:G-E間增加電容

因?yàn)镚-E間增加電容,驅(qū)動(dòng)電源功耗會(huì)增加,相同的門極驅(qū)動(dòng)電阻情況下IGBT的開關(guān)損耗也會(huì)增加。

采用負(fù)電源以提高門限電壓

采用門極負(fù)電壓來安全關(guān)斷,特別是IGBT模塊在100A以上的應(yīng)用中,是很典型的運(yùn)用。在IGBT模塊100A以下的應(yīng)用中,處于成本原因考慮,負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)很少被采用。典型的負(fù)電源電壓電路如圖4。

14193181263768.jpg

圖4:負(fù)電源電壓

增加負(fù)電源供電增加設(shè)計(jì)復(fù)雜度,同時(shí)也增大設(shè)計(jì)尺寸。

有源米勒鉗位解決方案

為了避免RG優(yōu)化問題、CG的損耗和效率、負(fù)電源供電增加成本等問題,另一種通過門極G與射極E短路的方法被采用來抑制因?yàn)榧纳桌针娙輰?dǎo)致的意想不到的開通。這種方法可以在門極G與射極E之間增加三級管來實(shí)現(xiàn),在VGE電壓達(dá)到某個(gè)值時(shí),門極G與射極E的短路開關(guān)(三級管)將觸發(fā)工作。這樣流經(jīng)米勒電容的電流將通過三極管旁路而不至于流向驅(qū)動(dòng)器引腳VOUT。這種技術(shù)就叫有源米勒鉗位技術(shù)(如圖5)。

14193181813768.jpg

圖5:有源米勒鉗位采用外加三極管

增加三級管將增加驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜度。

結(jié)論

以上闡述的四種技術(shù)的對比如下表1

在最近幾年時(shí)間里,高度集成的門極驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)包含有源米勒鉗位解決方案并帶有飽和壓降保護(hù)、欠電壓保護(hù),有如AVAGO技術(shù)的ACPL-331J和ACPL-332J,對產(chǎn)品設(shè)計(jì)者和工業(yè)/消費(fèi)生產(chǎn)商來說,這將降低設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和產(chǎn)品尺寸。

責(zé)任編輯:

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    6152

    瀏覽量

    152859
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1276

    文章

    3937

    瀏覽量

    252827
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOS管的米勒效應(yīng)解析

      在說MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測量的這個(gè)波形。
    發(fā)表于 02-03 15:35 ?4479次閱讀
    MOS管的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應(yīng)</b>解析

    MOS管的米勒效應(yīng):如何減小米勒平臺(tái)

    從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng),針對Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo),今天我們再和大家一起,結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真,探討下如何減小米勒平臺(tái)。
    發(fā)表于 02-14 09:25 ?1.3w次閱讀

    詳解IGBT的米勒電路

    當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會(huì)通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會(huì)使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極電路主要是在門極電壓過高時(shí)起動(dòng)保護(hù)電路動(dòng)作,提供電流瀉放通道抑制門極電壓升高。
    發(fā)表于 02-23 14:45 ?1.1w次閱讀
    詳解IGBT的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>電路

    說說MOSFET中的米勒效應(yīng)

    本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場
    發(fā)表于 05-16 09:47 ?2811次閱讀
    說說MOSFET中的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應(yīng)</b>

    為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒

    各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:39 ?1663次閱讀
    為什么碳化硅MOSFET特別需要<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>

    米勒效應(yīng)的本質(zhì)是什么?

    效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個(gè)詞,查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容,這個(gè)等效電容在場效應(yīng)管或者IGBT開通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍,進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的
    發(fā)表于 01-11 16:47

    什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒

    《什么是米勒?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資
    發(fā)表于 01-04 12:30

    米勒效應(yīng)問題

    【不懂就問】看到TI的一個(gè)三相逆變器設(shè)計(jì)資料中,關(guān)于有源米勒的設(shè)計(jì)這是一段原話“開關(guān)IGBT過程中,位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容,使其柵極電壓上升,可能讓器件誤導(dǎo)通原因是,當(dāng)逆
    發(fā)表于 12-21 09:01

    揭秘MOS管開關(guān)時(shí)米勒效應(yīng)的詳情

    開始上升,此時(shí)MOS管進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升,此時(shí)ld已經(jīng)達(dá)到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值,此時(shí)MOS管進(jìn)入電阻區(qū),此時(shí)
    發(fā)表于 12-19 13:55

    詳解米勒平臺(tái)的米勒效應(yīng)和形成原理

    在描述米勒平臺(tái)(miller plateau)之前,首先來看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class='flag-5'>米勒效應(yīng)(miller effect) 。
    的頭像 發(fā)表于 02-02 17:08 ?6.7w次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>米勒</b>平臺(tái)的<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應(yīng)</b>和形成原理

    如何使用有源米勒電路來減輕寄生效應(yīng)

    使用IGBT時(shí),面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 07:31 ?8321次閱讀
    如何使用<b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>電路來減輕寄生<b class='flag-5'>效應(yīng)</b>

    有源米勒技術(shù)

    有源米勒技術(shù)
    發(fā)表于 11-15 20:06 ?6次下載
    <b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    IGBT應(yīng)用技術(shù)有源詳解

    ??關(guān)于IGBT的有源技術(shù),也有稱Vce,VceClamp,區(qū)別于
    發(fā)表于 02-22 14:04 ?14次下載
    IGBT應(yīng)用<b class='flag-5'>技術(shù)</b>之<b class='flag-5'>有源</b><b class='flag-5'>鉗</b><b class='flag-5'>位</b>詳解

    IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

    之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺(tái)
    發(fā)表于 05-25 17:24 ?9519次閱讀
    IGBT中<b class='flag-5'>米勒</b><b class='flag-5'>效應(yīng)</b>的影響和處理方法

    米勒電容效應(yīng)怎么解決?

    米勒電容效應(yīng)怎么解決?? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中,負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng),使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:15 ?3647次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 亚洲欧美色一区二区三区 | 美女毛片在线观看 | 亚洲人成www在线播放 | www.午夜 | 免费色网址 | 天天摸夜夜添夜夜添国产 | 精品国产高清在线看国产 | 超级淫小黄文大全很污的那种 | 欧美军同video69视频 | 一女被两男吃奶玩乳尖口述 | 性香港xxxxx免费视频播放 | 2019天天干| 综合亚洲一区二区三区 | 激情五月综合婷婷 | 末成年一级在线看片 | 99免费观看视频 | 男人天堂网在线视频 | 欧美激情第一欧美在线 | 1024 在线观看视频免费 | 黄网站色| 午夜影院404 | 黄色网 在线播放 | 亚洲精品卡1卡二卡3卡四卡 | 无遮挡很爽很污很黄在线网站 | 日韩一卡 二卡 三卡 四卡 免费视频 | 国产精品福利久久 | 欧美伊人久久大香线蕉综合69 | 你懂的在线免费 | 天天躁夜夜躁狠狠躁2021 | 色老头免费视频 | 日韩第五页| 欧美成人伊人久久综合网 | 亚洲国产毛片aaaaa无费看 | 六月婷婷在线视频 | 美日毛片 | 成 人色 网 站 欧美大片在线观看 | 性欧洲女人18| 色欧美色 | 四虎影库永久在线 | 美女免费黄 | 一区二区免费在线观看 |