(文/程文智)自從2020年,電動(dòng)汽車充電樁被列入新基建的七大項(xiàng)目之一后,很多人都看好這個(gè)市場的發(fā)展規(guī)模和未來趨勢。在國內(nèi)有超過26個(gè)省市密集出臺了50余項(xiàng)與充電設(shè)施相關(guān)的政策。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)提供的數(shù)據(jù)顯示,從2019年至2020年,中國公共充電樁的年增量從12.89萬上漲到近30萬,這從數(shù)據(jù)層面證實(shí)了樂觀的市場預(yù)期。
對于充電樁市場規(guī)模的預(yù)測,Autute非常樂觀,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球充電樁市場到2027年底,將會達(dá)到930億美元,年復(fù)合增長率在20%左右。除了市場規(guī)模,那么充電樁在技術(shù)方面有哪些發(fā)展趨勢呢?
充電5分鐘,行駛200千米成電動(dòng)汽車剛需
從技術(shù)方面來看,未來充電樁解決方案將主要聚焦于解決當(dāng)下電動(dòng)汽車充電環(huán)節(jié)所存在的主要問題。德州儀器現(xiàn)場應(yīng)用經(jīng)理付楊認(rèn)為,這些問題包括三個(gè)方面:
1)提高直流快充場景的充電速度,5分鐘200KM的充電速度會成為剛需。
2)提高直流快充場景的安全等級,高壓大電流充電對電池及充電環(huán)節(jié)帶來的安全問題亟需得到解決。
3)提高充電樁的智能化水平,V2G可能成為中小功率充電樁的新形態(tài)。
高功率密度和高電壓是超級充電樁的兩大趨勢
很明顯,大功率充電站在解決用戶充電、里程焦慮方面有著顯著的優(yōu)勢。更高功率密度和更高電壓是超級充電樁發(fā)展的兩個(gè)趨勢。
其實(shí)在這兩方面的創(chuàng)新也存在一些難點(diǎn)和挑戰(zhàn),付楊舉例說,為了追求更高的效率而增加總線電壓時(shí),復(fù)雜的多電平拓?fù)渥兊迷絹碓狡毡椤?br />
NPC和ANPC拓?fù)涫请p向PFC /逆變器最受歡迎的兩種拓?fù)洌鼈兛梢詫㈤_關(guān)設(shè)備上的電壓應(yīng)力限制為總線電壓的一半。
但是,這些拓?fù)湫枰獊碜?a target="_blank">MCU的更多PWM通道,并且還需要一種特殊的保護(hù)方案以在任何停機(jī)期間維持電源開關(guān)兩端的電壓平衡。
當(dāng)然,付楊也給出了一個(gè)解決方案參考,比如TI的C2000微控制器第三代器件提供了獨(dú)特的可配置邏輯塊(CLB),可實(shí)現(xiàn)板載故障保護(hù)方案,以確保在所有工作條件下均提供實(shí)時(shí)保護(hù),而無需任何外部邏輯電路,類似于FPGAs / CPLDs一樣靈活。例如TIDA-010210 6.6kW 三相三級 ANPC 逆變器/PFC 雙向功率級參考設(shè)計(jì)中所呈現(xiàn)。
另外,除了更高功率密度和更高電壓兩個(gè)發(fā)展方向外,實(shí)際上,一個(gè)更安全、更智能、更快速的充電樁涉及到的技術(shù)遠(yuǎn)不止這些。比如,超級充電樁由于是大功率高壓戶外場景,具有特殊的安全和可靠性要求,因此在這種場景下使用的隔離器件、柵極器件的穩(wěn)定性和智能化,對功率器件做出的保護(hù),是直流模塊能否以更安全的狀態(tài)運(yùn)行的前提條件。
更進(jìn)一步,從用戶體驗(yàn)方面看,在充電時(shí)長之外,用戶最痛苦的莫過于需要充電時(shí)無法確知前方充電樁的使用情況,這就需要利用安全的無線連接技術(shù)遠(yuǎn)程接入和控制。這就需要用到短距離近場通訊(身份識別、信息保護(hù))、遠(yuǎn)距離私有協(xié)議通信等各類安全無線連接產(chǎn)品,以及兼容常用的BLE、WiFi的通訊技術(shù)。使用這些技術(shù)就可以讓充電樁實(shí)時(shí)更新狀態(tài),用戶得知它的使用情況。而在用戶和運(yùn)營商都看重的數(shù)據(jù)安全層面,解決方案需要提供安全的身份鑒權(quán)、數(shù)據(jù)通信等功能。
付楊自豪底表示,在WiFi產(chǎn)品上,TI很早以前就加入了信息安全保護(hù)機(jī)制,比如針對外置Flash的數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行驗(yàn)證,防止非授權(quán)訪問和保護(hù)敏感數(shù)據(jù),以及完善加密通道、密鑰管理等安全機(jī)制。在其他相關(guān)通信產(chǎn)品方面,TI也有相應(yīng)的產(chǎn)品可供工程師選擇。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品或是未來
對于充電樁產(chǎn)品來說,還有一個(gè)問題也是需要關(guān)注的,那就是易安裝和易維護(hù)性。如果實(shí)現(xiàn)了易安裝和易維護(hù)特性,對于充電樁降低成本是非常有利的。拿安裝來說,現(xiàn)在超級充電樁的體積和重量其實(shí)是很大的,一般可能需要三四個(gè)人來進(jìn)行安裝,調(diào)試。而如果能將超級充電樁做到15Kg以下,那么只需要一個(gè)人就能完成整個(gè)安裝調(diào)試過程了,這個(gè)人工成本就可以節(jié)省下來了。
那么如何才能實(shí)現(xiàn)對超級充電樁的體積和重量的降低呢?答案是SiC,GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。付楊對<電子發(fā)燒友>表示,三代半導(dǎo)體(包括SiC、GaN等)成為充電樁市場上冉冉升起的新星,是實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的最重要的半導(dǎo)體技術(shù)。
第三代半導(dǎo)體相比此前兩代,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,因此可以減少系統(tǒng)散熱成本及無源器件尺寸,可以提供更高能效或更高功率密度,長期來看可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)總成本。
SiC由于推出時(shí)間早,用戶覆蓋面更廣,在汽車中的應(yīng)用更多。不過SiC和GaN究竟孰優(yōu)孰劣目前下結(jié)論還為時(shí)尚早,如果長期來看,硅基GaN在成本方面的下降空間會更大。無論如何,未來隨著第三代半導(dǎo)體在工藝上的成熟度越來越高,整體成本優(yōu)勢會更加凸顯,相信也會在不久的將來在充電樁領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
具付楊透露,在第三代半導(dǎo)體功率器件方面,TI在SiC和GaN方面均有布局。SiC方面通過提供集成電容式隔離功能的驅(qū)動(dòng)器,提高系統(tǒng)穩(wěn)健性和可靠性,減小外形尺寸和輕松符合 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。另一方面,TI在GaN上的布局通過不斷嘗試新架構(gòu),使GaN適應(yīng)更廣的電壓范圍,比如800V、1000V。他認(rèn)為高壓的GaN器件的出現(xiàn),為將來在充電樁上看到GaN的身影帶來了更大的可能性。
此外,付楊還強(qiáng)調(diào),為了保證高可靠性,TI已經(jīng)針對GaN FET進(jìn)行了4000多萬小時(shí)的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用測試。同時(shí),為了進(jìn)一步提高可靠性和集成度,TI推出了GaN與驅(qū)動(dòng)集成的器件。值得一提的是,TI在GaN方面擁有自己的工藝和工廠,因此可以確保產(chǎn)品品質(zhì)和供應(yīng)的穩(wěn)定性保障。
雖然SiC和GaN器件有種種好處,但是由于成本的原因,這兩種器件都還沒有在充電樁領(lǐng)域被廣泛采用。不過,相信隨著它們成本的降低,它們會成為充電樁中不可或缺的器件。
對于充電樁市場規(guī)模的預(yù)測,Autute非常樂觀,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球充電樁市場到2027年底,將會達(dá)到930億美元,年復(fù)合增長率在20%左右。除了市場規(guī)模,那么充電樁在技術(shù)方面有哪些發(fā)展趨勢呢?
充電5分鐘,行駛200千米成電動(dòng)汽車剛需
從技術(shù)方面來看,未來充電樁解決方案將主要聚焦于解決當(dāng)下電動(dòng)汽車充電環(huán)節(jié)所存在的主要問題。德州儀器現(xiàn)場應(yīng)用經(jīng)理付楊認(rèn)為,這些問題包括三個(gè)方面:
1)提高直流快充場景的充電速度,5分鐘200KM的充電速度會成為剛需。
2)提高直流快充場景的安全等級,高壓大電流充電對電池及充電環(huán)節(jié)帶來的安全問題亟需得到解決。
3)提高充電樁的智能化水平,V2G可能成為中小功率充電樁的新形態(tài)。
高功率密度和高電壓是超級充電樁的兩大趨勢
很明顯,大功率充電站在解決用戶充電、里程焦慮方面有著顯著的優(yōu)勢。更高功率密度和更高電壓是超級充電樁發(fā)展的兩個(gè)趨勢。
其實(shí)在這兩方面的創(chuàng)新也存在一些難點(diǎn)和挑戰(zhàn),付楊舉例說,為了追求更高的效率而增加總線電壓時(shí),復(fù)雜的多電平拓?fù)渥兊迷絹碓狡毡椤?br />
NPC和ANPC拓?fù)涫请p向PFC /逆變器最受歡迎的兩種拓?fù)洌鼈兛梢詫㈤_關(guān)設(shè)備上的電壓應(yīng)力限制為總線電壓的一半。
但是,這些拓?fù)湫枰獊碜?a target="_blank">MCU的更多PWM通道,并且還需要一種特殊的保護(hù)方案以在任何停機(jī)期間維持電源開關(guān)兩端的電壓平衡。
當(dāng)然,付楊也給出了一個(gè)解決方案參考,比如TI的C2000微控制器第三代器件提供了獨(dú)特的可配置邏輯塊(CLB),可實(shí)現(xiàn)板載故障保護(hù)方案,以確保在所有工作條件下均提供實(shí)時(shí)保護(hù),而無需任何外部邏輯電路,類似于FPGAs / CPLDs一樣靈活。例如TIDA-010210 6.6kW 三相三級 ANPC 逆變器/PFC 雙向功率級參考設(shè)計(jì)中所呈現(xiàn)。
另外,除了更高功率密度和更高電壓兩個(gè)發(fā)展方向外,實(shí)際上,一個(gè)更安全、更智能、更快速的充電樁涉及到的技術(shù)遠(yuǎn)不止這些。比如,超級充電樁由于是大功率高壓戶外場景,具有特殊的安全和可靠性要求,因此在這種場景下使用的隔離器件、柵極器件的穩(wěn)定性和智能化,對功率器件做出的保護(hù),是直流模塊能否以更安全的狀態(tài)運(yùn)行的前提條件。
更進(jìn)一步,從用戶體驗(yàn)方面看,在充電時(shí)長之外,用戶最痛苦的莫過于需要充電時(shí)無法確知前方充電樁的使用情況,這就需要利用安全的無線連接技術(shù)遠(yuǎn)程接入和控制。這就需要用到短距離近場通訊(身份識別、信息保護(hù))、遠(yuǎn)距離私有協(xié)議通信等各類安全無線連接產(chǎn)品,以及兼容常用的BLE、WiFi的通訊技術(shù)。使用這些技術(shù)就可以讓充電樁實(shí)時(shí)更新狀態(tài),用戶得知它的使用情況。而在用戶和運(yùn)營商都看重的數(shù)據(jù)安全層面,解決方案需要提供安全的身份鑒權(quán)、數(shù)據(jù)通信等功能。
付楊自豪底表示,在WiFi產(chǎn)品上,TI很早以前就加入了信息安全保護(hù)機(jī)制,比如針對外置Flash的數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行驗(yàn)證,防止非授權(quán)訪問和保護(hù)敏感數(shù)據(jù),以及完善加密通道、密鑰管理等安全機(jī)制。在其他相關(guān)通信產(chǎn)品方面,TI也有相應(yīng)的產(chǎn)品可供工程師選擇。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品或是未來
對于充電樁產(chǎn)品來說,還有一個(gè)問題也是需要關(guān)注的,那就是易安裝和易維護(hù)性。如果實(shí)現(xiàn)了易安裝和易維護(hù)特性,對于充電樁降低成本是非常有利的。拿安裝來說,現(xiàn)在超級充電樁的體積和重量其實(shí)是很大的,一般可能需要三四個(gè)人來進(jìn)行安裝,調(diào)試。而如果能將超級充電樁做到15Kg以下,那么只需要一個(gè)人就能完成整個(gè)安裝調(diào)試過程了,這個(gè)人工成本就可以節(jié)省下來了。
那么如何才能實(shí)現(xiàn)對超級充電樁的體積和重量的降低呢?答案是SiC,GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。付楊對<電子發(fā)燒友>表示,三代半導(dǎo)體(包括SiC、GaN等)成為充電樁市場上冉冉升起的新星,是實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的最重要的半導(dǎo)體技術(shù)。
第三代半導(dǎo)體相比此前兩代,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,因此可以減少系統(tǒng)散熱成本及無源器件尺寸,可以提供更高能效或更高功率密度,長期來看可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)總成本。
SiC由于推出時(shí)間早,用戶覆蓋面更廣,在汽車中的應(yīng)用更多。不過SiC和GaN究竟孰優(yōu)孰劣目前下結(jié)論還為時(shí)尚早,如果長期來看,硅基GaN在成本方面的下降空間會更大。無論如何,未來隨著第三代半導(dǎo)體在工藝上的成熟度越來越高,整體成本優(yōu)勢會更加凸顯,相信也會在不久的將來在充電樁領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。
具付楊透露,在第三代半導(dǎo)體功率器件方面,TI在SiC和GaN方面均有布局。SiC方面通過提供集成電容式隔離功能的驅(qū)動(dòng)器,提高系統(tǒng)穩(wěn)健性和可靠性,減小外形尺寸和輕松符合 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。另一方面,TI在GaN上的布局通過不斷嘗試新架構(gòu),使GaN適應(yīng)更廣的電壓范圍,比如800V、1000V。他認(rèn)為高壓的GaN器件的出現(xiàn),為將來在充電樁上看到GaN的身影帶來了更大的可能性。
此外,付楊還強(qiáng)調(diào),為了保證高可靠性,TI已經(jīng)針對GaN FET進(jìn)行了4000多萬小時(shí)的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用測試。同時(shí),為了進(jìn)一步提高可靠性和集成度,TI推出了GaN與驅(qū)動(dòng)集成的器件。值得一提的是,TI在GaN方面擁有自己的工藝和工廠,因此可以確保產(chǎn)品品質(zhì)和供應(yīng)的穩(wěn)定性保障。
雖然SiC和GaN器件有種種好處,但是由于成本的原因,這兩種器件都還沒有在充電樁領(lǐng)域被廣泛采用。不過,相信隨著它們成本的降低,它們會成為充電樁中不可或缺的器件。
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