開發(fā)背景
如自從小米推出高功率65W GaN適配器,GaN適配器高頻開關(guān)MOS使得適配器的功率密度進(jìn)一步提高,產(chǎn)品尺寸更小,充電功率更高,得到市場(chǎng)的一致好評(píng)。開關(guān)MOS的改變,PCB板內(nèi)空間進(jìn)一步壓縮,器件之間干擾進(jìn)一步加強(qiáng),給適配器的EMC帶來新的挑戰(zhàn)。尤其是對(duì)變壓器原邊上來自高頻開關(guān)GaN MOS的噪聲進(jìn)行抑制時(shí),需要特定頻段高阻抗,高額定電流的產(chǎn)品。因此順絡(luò)開發(fā)出性能滿足上述需求的高額定電流,高阻抗的鐵氧體磁珠MZAS3225D681-4R0TF。
產(chǎn)品特點(diǎn)
疊層結(jié)構(gòu),高可靠性
特定頻段具有高阻抗
小DCR,大電流
產(chǎn)品應(yīng)用
外觀尺寸及推薦焊盤
產(chǎn)品型號(hào)
電性規(guī)格
應(yīng)用電路
責(zé)任編輯:haq
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原文標(biāo)題:GaN MOS適配器用大電流磁珠——MZAS3225D681-4R0TF
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