開(kāi)發(fā)背景

如自從小米推出高功率65W GaN適配器，GaN適配器高頻開(kāi)關(guān)MOS使得適配器的功率密度進(jìn)一步提高，產(chǎn)品尺寸更小，充電功率更高，得到市場(chǎng)的一致好評(píng)。開(kāi)關(guān)MOS的改變，PCB板內(nèi)空間進(jìn)一步壓縮，器件之間干擾進(jìn)一步加強(qiáng)，給適配器的EMC帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。尤其是對(duì)變壓器原邊上來(lái)自高頻開(kāi)關(guān)GaN MOS的噪聲進(jìn)行抑制時(shí)，需要特定頻段高阻抗，高額定電流的產(chǎn)品。因此順絡(luò)開(kāi)發(fā)出性能滿(mǎn)足上述需求的高額定電流，高阻抗的鐵氧體磁珠MZAS3225D681-4R0TF。

產(chǎn)品特點(diǎn)

疊層結(jié)構(gòu)，高可靠性

特定頻段具有高阻抗

小DCR，大電流

產(chǎn)品應(yīng)用

適用于手機(jī)GaN適配器，電源電路，音頻線(xiàn)路；

外觀尺寸及推薦焊盤(pán)

產(chǎn)品型號(hào)

電性規(guī)格

應(yīng)用電路

責(zé)任編輯：haq