為控制碳化硅MOSFET而優化的單通道柵極驅動器
意法半導體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優化的單通道柵極驅動器，采用節省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩健的性能和精確的 PWM 控制。
SiC 功率技術被廣泛用于提高功率轉換效率，SiC驅動器STGAP2SiCSN可以簡化節能型電源系統、驅動和控制電路的設計，節省空間，并增強穩健性和可靠性。目標應用包括電動汽車充電系統、開關式電源、高壓功率因數校正器 （PFC）、DC/DC 變換器、不間斷電源 （UPS）、太陽能發電、電機驅動設備、風扇、工廠自動化、家用電器、電磁爐。
STGAP2SiCSN 在柵極驅動通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達1700V 的電壓。輸入到輸出傳播時間小于 75ns，確保PWM 控制精度高。±100V/ns共模瞬變抗擾度 （CMTI） 保證開關可靠性。
內置保護功能包括欠壓鎖定和熱關斷，欠壓鎖定（UVLO）通過閾值電壓防止 SiC 電源開關在低能效或不安全條件下工作。在檢測到結溫過高后，熱關斷降低驅動器的兩個輸出。新產品提供兩種配置選擇，獨立多輸出配置可以使用外部電阻單獨優化導通和關斷時間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強高頻硬開關應用的穩健性，利用米勒鉗位防止功率開關過度振蕩。
STGAP2SiCSN 邏輯輸入兼容低達 3.3V 的 TTL 和 CMOS 邏輯信號，簡化了與主微控制器或 DSP處理器的連接。在高達 26V 的柵極驅動電壓下，驅動器的最大吸電流和拉電流均為 4A。片上集成的自舉二極管簡化了設計并提高了可靠性，關斷模式有獨立輸入引腳，有助于大限度地降低系統功耗。
責任編輯：haq
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