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升降壓超級電容充電方案分享

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2022-01-13 16:03 ? 次閱讀

Other Parts Discussed in Post: BQ25703A

TI shanghai FAE: Eric Xiong

超級電容由于其充電次數(shù),更好的瞬態(tài)性能,更簡單的充電管理以及更少的環(huán)境污染,在很多應(yīng)用中越來越受歡迎。多個(gè)電容單體(2.7V)串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護(hù)功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實(shí)際應(yīng)用中的一些注意事項(xiàng)。

1. 典型充電電路和充電曲線:

poYBAGGKSx2AKNa3AAE7hE9YQ_U958.png

圖1 典型應(yīng)用電路

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圖2 典型的充電曲線

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圖3 配置和軟件設(shè)置

2. 加速充電過程

鋰電池的預(yù)充電過程不同,超級電容可以直接快速充電,從而減少充電時(shí)間,可以采取如下兩種方式來減小芯片自帶的預(yù)充過程,

使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認(rèn)是10 mOhm,相當(dāng)于提升5倍的預(yù)充電流。

poYBAGGKSyGARJj2AAFQVPQWSS8897.png

圖 4 20s 快速充電充滿

2去使能LDO 模式

為了保證芯片的最小工作電壓,在預(yù)充過程充,BATFET處于LDO模式下,采用旁路模式也能加快充電速度,但會犧牲一部分系統(tǒng)電壓范圍。

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圖 5 LDO 使能模式

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圖6 LDO旁路模式

3. 兼容0.5A小電流USB輸入

當(dāng)輸入電源的電流能力有限,而充電電流很高時(shí)會有拉低輸入電壓的風(fēng)險(xiǎn),需要動態(tài)的配置充電電流,防止系統(tǒng)電壓過低導(dǎo)致的系統(tǒng)崩潰。BQ25703A的DPM模式能靈活地設(shè)置輸入功率限制,動態(tài)地的分配實(shí)時(shí)的充電電流,保證輸入電壓恒定。

pYYBAGGKSyaAEo_CAAD6yQOExcw194.png

圖 7 無DPM模式

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圖8 DPM模式

4. 被動均衡功能

為了防止單體過充或者欠充,需要加入主動或者被動均衡,在保證功耗的基礎(chǔ)上,被動均衡的電路簡單,成本更低。

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圖9 電阻被動均衡

5. 硬件過充保護(hù)

當(dāng)軟件崩潰或者程序錯誤設(shè)置時(shí),需要硬件的保護(hù)來防止電壓過沖而引起的危險(xiǎn)。使用內(nèi)部比較器并結(jié)合芯片本身的HIZ模式可以強(qiáng)制保護(hù)充電電壓低于設(shè)置的安全門限值。

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6. 綜述

綜上,BQ25703A可以作為多節(jié)的超級電容的升降壓充電方案,自帶power path 功能和DPM功能,軟件配置靈活,硬件保護(hù)功能齊全。

審核編輯:金巧

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