Q1
對于MSL3預處理之后復測fail的產品,如果開帽看到有燒點,一般情況下,下一步應該分析什么?
A
如果這個樣品在MSL之前是Pass的樣品,不應該是Assembly引起的問題。再者decap后就看到有die表面的burn mark,這個很有可能是MSL后FT造成的EOS,如果無損分析都沒有發現異常,產品可靠性應該沒有問題,是測試環境的問題。
Q2
正常開封芯片,之前未做任何實驗。聲掃結果如上,中間大面積上色部分是有空洞么?
A
開封導致的塑封料厚度不均。
Q3
這個socket蓋子,最高耐溫是多少?
A
測試溫度范圍為-55到150℃。
Q4
做DFN工藝需要有個BD圖,那么CSP工藝有類似的圖嗎?
A
CSP需要GDS及shot map,封測廠會根據以上圖紙出POD及mask layout,差不多類似于BE圖。
Q5
芯片三點彎折應變的計算公式是什么
A
參考如下:
參考文獻:gbt232-2010彎曲實驗方法(1)
Q6
GaAs、Si晶圓、框架的有效期有多久?如果過期,還想用的話需要進行哪些驗證。驗證后還能延期多久
A
Si晶圓有效期沒有限制,只要保存條件合適,5年都可以。
Q7
這種空洞會是ESD問題導致的嗎?這顆芯片測試經常由于漏電或者short出現燒傷。
A
工藝缺陷,Dep不能附著在金屬壁;偶發問題,可以忽略,對良率不會有影響,WAT 數據很難抓不到。參考SLB標準,沒有每一條試驗(環境、應力)都有嚴絲合縫對應的標準,都要做落地的調整,根本上還是要參考美軍標、JESD、 IEC。
Q8
在晶圓階段做的可靠性試驗有哪些?有沒有哪個文件有這樣的規定呢?
A
JESD JEP001
Q9
國產固晶機做的比較好的有哪些?
A
X-ray檢測:DA801/DA1201
Q10
請教遇到過PCBA板卡級高低溫循環試驗的嗎?想問下這個實驗的目的和參考標準?
A
PTC測試中遇到了PCBA板卡級高低溫循環試驗,測試的是芯片,測試的方法是用PCBA板子。這個實驗的目的是測試芯片在溫度變化的情況下芯片工作狀態是否穩定,因此,芯片是需要帶電工作在一定功率下的。實驗的難點是:
1.如何配置芯片,讓芯片工作在一一定功率范圍內。這個項目是用StrongBoard-40 推送JTAG Pattern到DUT芯片實現的。
2. 如何監控DUT芯片是否穩定的在工作,這個項目使用StrongBoard-40檢測JTAG的TDO腳是否正常輸出,用MonitorMaster監控每一路電壓電流是否在正常范圍內。
3. 如何準確的設置上下電順序、階梯上下電,這個項目使用全自動電源控制軟件PowerMaster來配置電源。
Q11
元素上的L和K都代表啥意思, 然后在SEM中可以看的到二維電子氣嗎?
A
關于K,L,M, N 只是元素的原子核外的電子軌道,從原子核外外依次是K, L, M, N.。。。。。軌道,每個軌道的電子數目是2n*n。https://baike.baidu.com/item/edx/16780962?fr=aladdin
掃描電子顯微鏡能看到二維電子氣,結構概念圖如下:
Q12
聲掃掃到的這種貌似很多雜質的圖片,是設備哪項參數沒調好,還樣品有問題?
A
解析度的問題,或者是噪音引起的。聲音很容易受周圍感染,看圖片用的是sonoscan機臺,應調節trigger再掃。
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原文標題:季豐電子IC運營工程技術知乎 – 21W47
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