半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。

然而，在實際應用中，工程師們都會遇到一個相同的困惑：器件的選型著實令人頭疼。對此，小編感同身受。今天，我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些異同點，在選型時應著重查看哪些參數(shù)。

MOSFET和IGBT的異同點

MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在應用中，IGBT和MOSFET都可以用作靜態(tài)電子開關。雖然有很多共同點，但在性能參數(shù)和應用上，IGBT與MOSFET還是有許多不同之處。

在結構上，MOSFET和IGBT看起來非常相似，實則不同。IGBT由發(fā)射極、集電極和柵極端子組成，而MOSFET由源極、漏極和柵極端子組成。IGBT的結構中有PN結，MOSFET沒有任何PN結。

在特性參數(shù)上，MOSFET和IGBT的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下9個方面：

在低電流區(qū)，MOSFET的導通電壓低于IGBT，這也是它的優(yōu)勢。不過，在大電流區(qū)IGBT的正向電壓特性優(yōu)于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性對溫度具有很強的正向依賴性，因此，IGBT的高溫特性更好，導通電壓比MOSFET低。

IGBT適用于中到極高電流的傳導和控制，而MOSFET適用于低到中等電流的傳導和控制。

IGBT不適合高頻應用，它能在千Hz頻率下運行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應用，它可以在兆Hz頻率下運行良好。

IGBT的開關速度比較低，MOSFET開關速度非常高。

IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應用。

IGBT具有較大的關斷時間，MOSFET的關斷時間較小。

IGBT可以處理任何瞬態(tài)電壓和電流，但當發(fā)生瞬態(tài)電壓時，MOSFET的運行會受到干擾。

MOSFET器件成本低，價格便宜，而IGBT至今仍屬于較高成本器件。

IGBT適合高功率交流應用，MOSFET適合低功率直流應用。

因為上述這些差別，在應用上MOSFET和IGBT各有側重點。通常，MOSFET的額定電壓約為600V，而IGBT的額定電壓能夠達到1400V。從額定電壓角度看，IGBT主要用于更高電壓的應用。從工作頻率角度看，IGBT通常在低于20kHz的開關頻率下使用，此時它們比單極性MOSFET具有更高的開關損耗。

綜合來看，對于低頻（小于20kHz）、高壓（大于1000V）、小或窄負載或線路變化、高工作溫度，以及超過5kw的額定輸出功率應用，IGBT是首選。而MOSFET更適合低電壓（小于250V）、大占空比和高頻（大于200KHz）的應用。

圖1：不同類型晶體管的性能比較（圖源：TOSHIBA）

MOSFET關鍵的電氣參數(shù)

MOSFET的優(yōu)點決定了它非常適合高頻且開關速度要求高的應用。在開關電源（SMPS）中，MOSFET的寄生參數(shù)至關重要，它決定了轉換時間、導通電阻、振鈴（開關時超調(diào)）和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS的效率密切相關。作為電源開關，選擇的MOSFET應該具有極低的導通電阻、低輸入電容（即Miller電容）以及極高的柵極擊穿電壓，這個數(shù)值甚至高到足以處理電感產(chǎn)生的任何峰值電壓。另外，漏極和源極之間的寄生電感也是越低越好，因為低寄生電感可將開關過程中的電壓峰值降至最低。

對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容（利于快速切換）以及較高驅動能力的MOSFET。

IGBT關鍵的電氣參數(shù)

IGBT的主要優(yōu)勢是能夠處理和傳導中至超高電壓和大電流，擁有非常高的柵極絕緣特性，且在電流傳導過程中產(chǎn)生非常低的正向壓降，哪怕浪涌電壓出現(xiàn)時，IGBT的運行也不會受到干擾。不足之處在于IGBT不適合高頻應用。與MOSFET相比，開關速度較慢，關斷時間較長。在實際應用中，逆變技術對IGBT的參數(shù)要求并不是一成不變的，對IGBT的要求各不相同。

綜合來看，下面這些參數(shù)在IGBT的選擇中是至關重要的。

一是額定電壓，在開關工作的條件下，IGBT的額定電壓通常要高于直流母線電壓的兩倍。

二是額定電流，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，要求在1分鐘的時間內(nèi)IGBT能夠承受1.5倍的過流。

三是開關速度。

四是柵極電壓，IGBT的工作狀態(tài)與正向柵極電壓有很大關系，電壓越高，開關損耗越小，正向壓降也更小。

新能源汽車中的IGBT和MOSFET

汽車電動化乃大勢所趨?，F(xiàn)在，各國政府紛紛制定了各自的碳達峰和碳中和目標，從傳統(tǒng)的ICE車輛轉向純電動車輛具有非常重要的意義。更嚴格的全球CO2排放要求不斷加速汽車電動化的進程，預計從2021年到2026年電動車/混合動力車（EV/HEV）的復合年增長率（CAGR（VOL））將達到20.1%，被稱為零排放汽車（ZEV）的電池電動汽車（BEV），其CAGR（VOL）將高達29.7%。

圖2：EV/HEV在未來5年的增長（圖源：onsemi）

新能源車中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。在各類半導體功率器件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。

據(jù)研究機構IC Insights的分析結果，2016年，全球MOSFET市場規(guī)模達到了62億美元，預計2016年至2022年間MOSFET市場的年復合增長率將達到3.4%。預計到2022年，全球MOSFET市場規(guī)模將接近75億美元。

IGBT是新能源汽車高壓系統(tǒng)的核心器件，其最核心應用為主驅逆變，此外還包括車載充電器（OBC）、電池管理系統(tǒng)、車載空調(diào)控制系統(tǒng)、轉向等高壓輔助系統(tǒng)。在直流和交流充電樁中，IGBT也有著廣泛應用。在新能源汽車中，MOSFET主要在汽車低壓電器中使用，比如電動座椅調(diào)節(jié)、電池電路保護、雨刷器的直流電機、LED照明系統(tǒng)等。

IGBT和MOSFET“芯”品推薦

AFGHL25T120RHD是安森美（onsemi）汽車級低成本的1200V 25A IGBT，該模塊符合AEC Q101規(guī)范，具有堅固且經(jīng)濟高效的場阻II溝槽結構。在要求苛刻的開關應用中可提供優(yōu)異的性能，同時提供低導通電壓和最小的開關損耗，可用于EV/HEV的PTC加熱器、電動壓縮機、車載充電器等系統(tǒng)中。安森美的另一款MOSFET模塊FAM65CR51ADZ1，是一款650V的電源集成模塊（PIM），它帶有升壓轉換器器，主要用于EV/HEV中的車載充電器（OBC）中，它能讓系統(tǒng)的設計更加小巧、高效和可靠。Infineon Technologies（英飛凌）有著極其豐富的IGBT功率模塊產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品系列擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，覆蓋了市場上的大多數(shù)應用。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。

比如，英飛凌的HybridPACK系列就提供基于6種不同封裝的多個版本，專門針對100kW到200kW之間的不同逆變器性能水平進行了優(yōu)化，拓展了面向EV/HEV的IGBT模塊功率區(qū)間。該系列中的HybridPACK Drive是一款非常緊湊的功率模塊，專為EV/HEV車輛牽引應用而優(yōu)化，功率范圍為100kW至175kW，可在電動汽車的實際驅動循環(huán)中實現(xiàn)最高效率，即使在惡劣環(huán)境條件下也能可靠運行逆變器。

圖3：用于電動汽車主逆變器的功率模塊HybridPACK Drive IGBT模塊（圖源：Infineon）其中，HybridPACK Drive Flat模塊（FS660R08A6P2Fx）和Wave模塊（FS770R08A6P2x）是HybridPACK Drive產(chǎn)品家族中的低性能產(chǎn)品，經(jīng)濟劃算，分別適用于100kW至150kW逆變器。作為產(chǎn)品組合中的高端產(chǎn)品，HybridPACK Drive Performance模塊（FS950R08A6P2B）的目標應用是200kW逆變器。因使用了專門的陶瓷材料，而非常用的氧化鋁，其散熱性能提升了20%以上，可以達到更高的電流承受能力。

英飛凌旗下的600V、650V及800V N溝道功率MOSFET主要針對高性能的汽車應用，CoolMOS N溝道MOSFET是該公司具有代表性的產(chǎn)品系列，適合低功率至高功率應用，在易用性、高性能與價格之間取得了巧妙平衡。

結語

功率半導體器件又稱為電力電子器件，是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉換、電路控制的核心器件。上世紀80年代發(fā)展起來的硅基MOSFET工作頻率達到了兆Hz級。隨著硅基IGBT的出現(xiàn)，功率器件在大功率化和高頻化之間找到了解決方案。在不間斷電源（UPS）、工業(yè)逆變器、功率控制、電機驅動、脈寬調(diào)制（PWM）、開關電源（SMPS）等開關應用中，MOSFET和IGBT因其具有的優(yōu)越特性，在性能上明顯優(yōu)于其他開關器件。其中，MOSFET主要用于較低的電壓和功率系統(tǒng)，而IGBT更適合較高的電壓和功率應用。在新能源汽車、智能家電、5G等需求的拉動下，IGBT和MOSFET的市場規(guī)模不斷擴大，進入該領域的企業(yè)越來越多。如何在品類繁雜的市場中找到最符合自己需求的產(chǎn)品是一件令人頭疼的事。其實，無論多么復雜，你只需關注上面我們介紹的那些主要參數(shù)，相信就一定會找到滿意的產(chǎn)品。

原文標題：IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？

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