快速、非易失性、高耐久和低邏輯狀態(tài)開關(guān)能耗，這些特質(zhì)全部匯聚在一個通用內(nèi)存上過去被認(rèn)為是不可能實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)樗鼈兯璧奈锢硖匦允窍嚆５摹鹘y(tǒng)意義上來說，快速、高耐久的內(nèi)存往往配以脆弱易丟失的邏輯狀態(tài)，甚至需要不斷刷新，比如我們的DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而非易失性的邏輯狀態(tài)往往又需要大量能耗來完成開關(guān)，久而久之就會慢慢破壞存儲器的結(jié)構(gòu)，降低其耐用性，比如我們的Flash閃存。

即便如此，對于全能通用內(nèi)存的追求一直沒有停歇，近年來也涌現(xiàn)了不少創(chuàng)新技術(shù)，比如電阻式的ReRAM、磁性的MRAM或是相變的PCM等等。這些內(nèi)存技術(shù)同樣獲得了驚人的進(jìn)展，或多或少都進(jìn)入了商業(yè)化的階段，比如三星最近就宣布首次實(shí)現(xiàn)了基于MRAM的存內(nèi)計算，未來很可能在AI和可穿戴設(shè)備上得到普及。但這些技術(shù)雖然解決了易失性的問題，邏輯狀態(tài)穩(wěn)定性和開關(guān)能耗的問題依舊未能獲得改善。

而近日一種名為ULTRARAM的技術(shù)進(jìn)入了我們的視野，并宣稱有希望成為下一代通用內(nèi)存。

ULTRARAM

這里的ULTRARAM可不是賽靈思UltraScale+ FPGA中的SRAM Ultraram，而是英國蘭卡斯特大學(xué)研究人員提出的一種全新的通用內(nèi)存?zhèn)溥x技術(shù)。ULTRARAM同樣是一種非易失性的內(nèi)存技術(shù)，通過三重勢壘的諧振隧穿異質(zhì)結(jié)構(gòu)，最終實(shí)現(xiàn)電子在浮柵的快速和超低能耗存儲。而蘭卡斯特大學(xué)的研究人員已經(jīng)完成了該技術(shù)在硅基底上的實(shí)現(xiàn)，這也是走向大規(guī)模量產(chǎn)的重要成果。

ULTRARAM的異質(zhì)結(jié)構(gòu) / 先進(jìn)電子材料

ULTRARAM的異質(zhì)結(jié)構(gòu)主要基于III-V族化合物，利用砷化銦的量子阱和銻化鋁的勢壘，創(chuàng)造出了一個三重勢壘的諧振隧穿（TBRT）結(jié)構(gòu)。相對于組成浮柵的砷化銦來說，銻化鋁2.1 eV的導(dǎo)帶偏移為電子通過提供的勢壘與閃存中二氧化硅電介質(zhì)相當(dāng)。只需施加2.5V左右的低電壓，勢壘就會對電子呈現(xiàn)透明的狀態(tài)。加上極小的電容，ULTRARAM單位面積的開關(guān)能量損耗相較DRAM和閃存分別減少了100和1000倍。

除此之外，高耐久性也是ULTRARAM的另一大優(yōu)勢。通過對設(shè)備的進(jìn)一步測試，蘭卡斯特大學(xué)的研究人員得出了喜人的結(jié)果，數(shù)據(jù)保存壽命可達(dá)1000年，程序/擦除周期可達(dá)1000萬次，這兩項(xiàng)數(shù)據(jù)相較Flash閃存來說又是百倍以上的提升。

其實(shí)早在2016年，歐洲就投了一百萬歐元用于銻化物在數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用上的研究，并開展了為期三年的研究，由四大歐洲學(xué)府參與研究，其中之一正是英國蘭卡斯特大學(xué)。如今ULTRARAM也終于有了成為通用內(nèi)存?zhèn)溥x技術(shù)的巨大突破，那么它有沒有機(jī)會成功替代傳統(tǒng)的內(nèi)存和存儲呢？我們不妨看看業(yè)內(nèi)做的其他嘗試再下定論。

非易失性內(nèi)存的嘗試

相信大家或多或少都聽過英特爾的傲騰持久內(nèi)存，憑借極高的性能，傲騰收獲了一批企業(yè)用戶。盡管傲騰給出的愿景很美好，但從事實(shí)角度來看，在英特爾去年第三季度的財報中，傲騰業(yè)務(wù)在2020年的前九個月中虧損了4.73億美元，而同樣布局3D XPoint的美光也在去年上半年停止了開發(fā)。

傲騰H20混合式固態(tài)盤 / 英特爾

這一切都說明傲騰的市場反響并不好，主要原因就是它的成本和擴(kuò)展性。與NAND等競品相比，傲騰從價格/容量上來看實(shí)在是一個昂貴的選擇，英特爾寧愿放棄NAND業(yè)務(wù)，也要維持住虧損的傲騰一是因?yàn)轶w量大能夠承受這樣的損失，二是他們看好傲騰在智能NIC和DPU上的潛力。不過既然英特爾放棄了傲騰在桌面PC上的方案，也就稱不上所謂的“通用”內(nèi)存了。

MRAM / Everspin

此外就是我們在上文提到的MRAM，其實(shí)三星在MRAM上的突破或多或少也緩解了傳統(tǒng)存儲介質(zhì)在能耗上的問題，但MRAM歸根結(jié)底也沒有解決容量的問題，無法作為真正意義上的通用內(nèi)存方案。就拿專注于MRAM的Everspin來說，他們的MRAM方案雖然做到了GB級，但主要也是面向IoT、汽車等對容量沒有過大需求的市場。

小結(jié)

說到這里，想必大家也都知道了這類非易失性內(nèi)存想要成功所需的最終并不是性能，而是成本、量產(chǎn)難度和擴(kuò)展性。ULTRARAM目前還是停留在研究階段，最終能否從一眾備選技術(shù)中殺出重圍，還是先看量產(chǎn)制造上會不會遇到阻礙吧。