電子發燒友網報道(文/李寧遠)大至功率變換器，小至內存、CPU等各類電子設備核心元件，哪里都少不了MOSFET的應用。MOSFET作為一種半導體器件，既能夠實現電路的通，又能夠實現電路的斷。而半導體器件需要解決的困難，說到底也不太麻煩，那就是降低損耗以此實現更高效率的電氣轉換。因此合適的功率器件往往能給整個系統帶來更可靠的性能，對于電機系統來說也是如此。

從終端應用中用于驅動的MOSFET來看，最主要的仍是用于電機控制的MOSFET。在此應用里，30V-100V的分立式MOSFET是一個龐大且快速增長的市場，尤其對于很多驅動直流電機的拓撲結構來說。雖然在電機驅動上并沒有對MOSFET做硬性的要求，但因為電機的頻率往往較低，所以對應用在控制上的MOSFET選擇還是會有一些講究的地方，諸如擊穿電壓、封裝等等。30V-100V這個電壓等級的電機MOSFET不管是國內還是國外，不少行業玩家的產品都很有競爭力。

英飛凌 OptiMOS 5 N溝道MOSFET

歐美系這里挑了英飛凌的OptiMOS 5系列，在電機控制上這個系列應該是很有說服力的。不僅因為這個系列在提高功率密度上做到了導通電阻RDS (on)、品質因數更低，還對同步整流進行了優化使其讓適配電機控制。

這整個系列在英飛凌給出的導通電阻RDS(on)和品質因數上，比同類產品平均低了大概15%和31%，而且具有快速切換應用程序的功能。這么籠統地看可能沒有說服力，所以以IPB026N06N為例看其相關技術參數。

作為OptiMOS 5 60V的N-MOSFET，10V條件下IPB026N06N的導通電阻RDS (on)最大值僅為2.6mΩ，QG僅為56nC。在這個電壓級別的MOSFET中，IPB026N06N的導通電阻RDS (on)相比同類產品可不僅僅低了15%，而是低了40%。在導通電阻上，英飛凌無疑是最具有優勢的。同時基于封裝限制支持大電流滿足工業應用要求。

不僅是RDS (on)和QG大大低于其他同類產品，OptiMOS 5系列使用更高的開關頻率可以實現更高的功率密度。而其采用的封裝也大大提高了系統效率并大幅降低了電壓過沖，在提升效率的同時還順帶降低了整個系統的成本。

瑞薩 電機N溝道MOSFET

日系這里選了瑞薩，作為日系半導體后繼者的瑞薩在MOSFET商業化上可靠性還是極高的。低導通電阻、低柵極電荷以及大電流是電機驅動MOSFET的基本要求，瑞薩的MOSFET在這些指標上也處于領先水平。

瑞薩的N溝道 MOSFET器件，除去低導通電阻和高速開關這兩個常見的特點，還擁有高于同類產品的魯棒性和散熱能力，能給電機帶來高效的驅動和低熱量設計。以瑞薩的40V系列為例，在T=25℃時，40V MOSFET能提供ID為100A的大電流，對于工業領域的應用這樣的大電流支持是必不可少的。

整個40V系列的導通電阻RDS (on)在2.3mΩ-2.75mΩ，柵極電荷QG在68nC左右，屬于行業領先的低導通電阻和低柵極電荷水平。在封裝上瑞薩有更多絕活，WPAK通過主板散熱，使小型封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流同時減小布線電感;LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。在封裝下也能看出瑞薩在細節上花的不少功夫。低柵極電荷帶了更高的系統效率延長了運行時間，散熱技術的領先將散熱系統再壓縮。

華潤微 電機N溝道MOSFET

華潤微電子的MOSFET產品在國內實力首屈一指，旗下的MOSFET覆蓋-100V到1500V的低中高壓，這是少有國內企業能做到的。目前華潤微電子在12V至300V電壓范圍內的產品種類居多，是其競爭力很強的應用領域。

在40V的產品系列中，導通電阻的波動范圍有點大，10V條件下的最低導通電阻典型值僅為0.9mΩ，最大的典型值15.5mΩ，其對應的柵極電荷分別為87.1nC和15nC。如何取舍柵極電荷與導通電阻就看具體應用了。

這里挑選了一款最低導通電阻0.9mΩ的40V MOSFET CRSM010N04L2為例。CRSM010N04L2就是能支持100A的大電流，僅從這兩項指標來說，對標上面兩家也沒問題。CRSM010N04L2使用了SkyMOS2技術，雖然柵極電荷偏高，但不影響FOM值依然優秀。在先進工藝的加持下，華潤微40V系列還擁有較高的抗雪崩擊穿能力，尤其是快速開關特性。華潤微電子在對成本的控制和對工藝及品控的改進上還是很有優勢的。

小結

在30V-100V這個龐大的MOSFET市場里，各廠商競爭不可謂不激烈，都是各有所長難分高下。但話說回來，沒有最好的產品只能更好的產品，提高電流能力、提高散熱性能和降低導通電阻才是電機MOSFET永遠不變的追求。

原文標題：30V-100V電機MOSFET核心競爭力——兩高一低

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審核編輯：湯梓紅