關(guān)于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費(fèi)樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請?jiān)L問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。

工廠自動(dòng)化

單端、差分和擴(kuò)頻振蕩器

SiT8918/SiT8919 | SiT9366/SiT9367 | SiT9005

• 高溫操作：-55℃ ~ +105°C

• 典型振動(dòng)：0.1 ppb/g

• EMI降低：降低30dB

智能電網(wǎng)

MHz TCXO和32 KHz振蕩器

SiT5356/SiT5357 | SiT1630

• 高達(dá)105°C的高精度振蕩器：±100 ppb

• 氣流和抗熱、震：1 ppb/°C

• 低功耗，可延長電池壽命，100 KHz時(shí)為4.5μA

全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)精密定位

OCXO和TCXO

SiT5711 | SiT5356/SiT5357

• 高精度：±5 ppb至±100 ppb

• 典型振動(dòng)：0.1 ppb/g

• 高可靠性：>10億小時(shí)平均無故障時(shí)間（MTBF）

測試和測量

OCXO、TCXO、差分、單端振蕩器

SiT5711 | SiT5356/SiT5357 | SiT9366/SiT9367 | SiT8008/SiT8009

• 老化率：20年以上不超過±500ppb

• 可編程性：寬范圍內(nèi)的任何頻率、穩(wěn)定性、電壓

• 縮小尺寸：Stratum 3E OCXO

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

TCXO和32KHz振蕩器

SiT5356/SiT5357 | SiT1532/SiT1533/SiT1630

• 高精度：±100 ppb，3e-11 ADEV

• 低功耗，延長電池壽命

• 最小尺寸32KHz TCXO：1.5 mm x 0.8 mm

關(guān)于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費(fèi)樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請?jiān)L問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。