為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國(guó)電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢(shì),SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請(qǐng),小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請(qǐng)、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
工廠自動(dòng)化
單端、差分和擴(kuò)頻振蕩器
SiT8918/SiT8919 | SiT9366/SiT9367 | SiT9005
高溫操作:-55℃ ~ +105°C
典型振動(dòng):0.1 ppb/g
EMI降低:降低30dB
MHz TCXO和32 KHz振蕩器
SiT5356/SiT5357 | SiT1630
高達(dá)105°C的高精度振蕩器:±100 ppb
氣流和抗熱、震:1 ppb/°C
低功耗,可延長(zhǎng)電池壽命,100 KHz時(shí)為4.5μA
全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)精密定位
OCXO和TCXO
SiT5711 | SiT5356/SiT5357
高精度:±5 ppb至±100 ppb
典型振動(dòng):0.1 ppb/g
高可靠性:>10億小時(shí)平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)
測(cè)試和測(cè)量
OCXO、TCXO、差分、單端振蕩器
SiT5711 | SiT5356/SiT5357 | SiT9366/SiT9367 | SiT8008/SiT8009
老化率:20年以上不超過(guò)±500ppb
可編程性:寬范圍內(nèi)的任何頻率、穩(wěn)定性、電壓
縮小尺寸:Stratum 3E OCXO
TCXO和32KHz振蕩器
SiT5356/SiT5357 | SiT1532/SiT1533/SiT1630
高精度:±100 ppb,3e-11 ADEV
低功耗,延長(zhǎng)電池壽命
最小尺寸32KHz TCXO:1.5 mm x 0.8 mm
關(guān)于作者--SiTime樣品中心
為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及,讓中國(guó)電子工程師能快速體驗(yàn)MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動(dòng)等更多優(yōu)勢(shì),SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費(fèi)樣品申請(qǐng),小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價(jià)申請(qǐng)、技術(shù)支持等便捷服務(wù),更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.sitimechina.com,客戶服務(wù)熱線400-888-2483。
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