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關(guān)于芯和半導(dǎo)體iModeler軟件進(jìn)行無源電感Pcell開發(fā)步驟

科技綠洲 ? 來源:芯和半導(dǎo)體 ? 作者:芯和半導(dǎo)體 ? 2022-04-12 16:41 ? 次閱讀

隨著5G通信物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展,WIFI、藍(lán)牙、導(dǎo)航芯片的需求與日俱增。在這些芯片中,無線收發(fā)模塊是核心部件。為了滿足低功耗,高帶寬,高信噪比等指標(biāo)要求,大量的無源器件被廣泛地采用。然而,如何處理好無源電感性能和面積的折中一直是設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn):傳統(tǒng)的無源電感開發(fā)存在迭代周期長、結(jié)構(gòu)簡單、難以滿足先進(jìn)工藝要求等諸多問題,設(shè)計(jì)者急需有一套自動工具來完成無源電感參數(shù)化版圖(Pcell)生成的工作。

本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體iModeler軟件進(jìn)行無源電感Pcell開發(fā)的步驟。通過內(nèi)部豐富的無源電感模板,設(shè)計(jì)者可以快速地在任意PDK設(shè)計(jì)環(huán)境下生成指定的Pcell版圖,同時(shí)進(jìn)行電磁場仿真分析,提高正向電感設(shè)計(jì)的效率。

iModeler無源電感Pcell創(chuàng)建流程

1.啟動工具

iModeler是一款集成在Cadence Virtuoso設(shè)計(jì)平臺的工具。首先選擇一個(gè)包含PDK的項(xiàng)目路徑并啟動Virtuoso,在主菜單上找到Xpeedic—iModeler啟動入口。接著選擇電感模板,然后導(dǎo)入電磁仿真工藝文件lyr,該文件可由ITF或iRCX文件轉(zhuǎn)換而來。最后點(diǎn)擊OK,打開無源器件配置界面。

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圖1 創(chuàng)建工程界面

2.設(shè)置設(shè)計(jì)規(guī)則

iModeler中設(shè)計(jì)規(guī)則(DRC)選項(xiàng)支持金屬層和過孔定義,金屬層包括最小線寬、最大線寬、最小線間距和最大線間距設(shè)置,過孔包含大小、最小線寬、Overlap距離等設(shè)置。通過設(shè)定這些DRC規(guī)則,可以確保之后進(jìn)行的電磁場掃描的電感尺寸組合是符合工藝制造要求的。

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圖2 金屬層設(shè)計(jì)規(guī)則

3.選擇無源電感類型

(1)結(jié)構(gòu)層定義

接著,根據(jù)信號類型,選擇單端或差分形式;然后選擇電感形狀,包括方形、圓形、八邊形等。本案例中,我們選擇八字形的差分電感。

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圖3 結(jié)構(gòu)層定義

(2)導(dǎo)體層定義

編輯完電感類型后,通過點(diǎn)擊Top Metal選項(xiàng)指定電感結(jié)構(gòu)的頂層金屬,軟件會自動根據(jù)工藝文件內(nèi)的信息匹配生成下層金屬和過孔。勾選Center Tapped選項(xiàng),可以給差分電感增加中心抽頭。

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圖4 導(dǎo)體層定義

(3)屏蔽層定義

除了上述電感建模的基本步驟外,iModeler提供對電感做進(jìn)一步優(yōu)化的選項(xiàng),這些設(shè)定涉及屏蔽層、輔助層和填充層。我們選擇屏蔽層PGS1,設(shè)置底層金屬M(fèi)1作為屏蔽材料,設(shè)定線寬和線間距6um,如下是添加屏蔽層后的效果。

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圖5 屏蔽層定義

(4)輔助層定義

輔助層是一套完整Pcell不可或缺的部分。iModeler支持添加任意類型的輔助層,這些層用于標(biāo)識器件或半導(dǎo)體工序。本案例中,我們增加兩種類型的輔助層,并對外擴(kuò)距離進(jìn)行了設(shè)定。

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圖6 輔助層定義

(5)填充層定義

最后,為了滿足金屬密度的檢查要求,我們增加兩層金屬并實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)擺放。圖8所示即為填充效果。

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圖7 填充層定義

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圖8 填充效果

4.電磁場仿真分析

在完成電感定義后,iModeler中可以對特定尺寸或某個(gè)尺寸范圍進(jìn)行電磁場仿真分析。仿真完畢后,使用芯和的SnpExpert工具可快速查看電感感值和品質(zhì)因數(shù)。

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圖9 電磁場仿真設(shè)置

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圖10 仿真數(shù)據(jù)曲線

5.生成無源電感Pcell

在案例的最后,設(shè)計(jì)者可以在配置界面的右下角,點(diǎn)擊Pcell,完成最終的參數(shù)化單元創(chuàng)建。

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圖11 快捷生成Pcell

總結(jié)本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體iModeler軟件進(jìn)行無源電感Pcell開發(fā)的步驟。在任意PDK工作環(huán)境下,設(shè)計(jì)者通過DRC規(guī)則定義、結(jié)構(gòu)層定義、優(yōu)化版圖定義等步驟可一步步生成電感Pcell,并能對Pcell做進(jìn)一步的電磁場分析。

審核編輯:彭菁
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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