使用低壓降穩(wěn)壓器 （LDO） 來過濾開關(guān)模式電源產(chǎn)生的紋波電壓并不是實現(xiàn)清潔直流電源的唯一考慮因素。由于 LDO 是電子器件，因此它們會自行產(chǎn)生一定量的噪聲。選擇低噪聲 LDO 并采取措施來降低內(nèi)部噪聲對于生成不會影響系統(tǒng)性能的清潔電源軌而言不可或缺。

識別噪聲

理想的 LDO 會生成沒有交流元件的電壓軌。遺憾的是，LDO 會像其他電子器件一樣自行產(chǎn)生噪聲。圖 1 顯示了這種噪聲在時域中的表現(xiàn)方式。

圖 1：電源噪聲的屏幕截圖

時域分析并非易事。因此，檢查噪聲的主要方法有兩種：跨頻率檢查和以積分值形式檢查。

您可以使用頻譜分析儀來識別 LDO 輸出端的各種交流元件。圖 2 描繪了 1A 低噪聲 LDO TPS7A94 的輸出噪聲。

圖 2：TPS7A94 的噪聲頻譜密度與頻率

和 VOUT 的關(guān)系

從各條曲線可以看出，以微伏/平方根赫茲 （μV/√Hz） 表示的輸出噪聲集中在頻譜的低端。這種噪聲主要來自內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，但誤差放大器、場效應(yīng)晶體管 （FET） 和電阻分壓器也會產(chǎn)生一定噪聲。

在確定相關(guān)頻率范圍的噪聲曲線時，跨頻率查看輸出噪聲會有所助益。例如，音頻應(yīng)用設(shè)計人員會關(guān)心電源噪聲可能會降低音質(zhì)的可聽頻率（20Hz 至 20kHz）。

數(shù)據(jù)表通常為同類比較提供單一綜合噪聲值。輸出噪聲通常在 10Hz 至 100kHz 范圍內(nèi)積分，并以微伏均方根 （μVRMS） 表示。一些半導(dǎo)體制造商集成了從 100Hz 到 100kHz 或自定義頻率范圍的噪聲。在特定頻率范圍內(nèi)進(jìn)行積分有助于掩蓋令人不快的噪聲特性，因此除了積分值之外，檢查噪聲曲線也很重要。圖 2 顯示了與各種曲線相對應(yīng)的積分噪聲值。德州儀器提供的 LDO 產(chǎn)品系列，其集成噪聲值測量值可低至 0.47μVRMS。

降低噪聲

除了選擇具有低噪聲品質(zhì)的 LDO 之外，您還可以采用幾種技術(shù)來確保您的 LDO 具有超低噪聲特性。這些技術(shù)涉及使用降噪和前饋電容器，我們會在下周關(guān)于 LDO 基礎(chǔ)知識的技術(shù)干貨中進(jìn)行討論。

降噪電容器

TI 產(chǎn)品組合中的許多低噪聲 LDO 都具有指定為 “NR/SS” 的特殊引腳。圖 3 顯示了用于實現(xiàn)降噪功能的常見拓?fù)洹?/p>

圖 3：帶有 NR/SS 引腳的 LDO 的常見拓?fù)?/p>

該引腳的功能是雙重的。它用于過濾來自內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的噪聲，并在啟動期間降低壓擺率或啟用 LDO。

在此引腳 （CNR/SS） 上添加一個電容器可形成一個具有內(nèi)部電阻的電阻電容 （RC） 濾波器，有助于分流由基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的不良噪聲。由于基準(zhǔn)電壓是噪聲的主要來源，因此增大電容有助于將低通濾波器的截止頻率推至較低頻率。圖 4 顯示了該電容器對輸出噪聲的影響。

圖 4：TPS7A91 的噪聲頻譜密度

與頻率和 CNR/SS 的關(guān)系

如圖 4 所示，較大的 CNR/SS 值會產(chǎn)生更好的噪聲系數(shù)。在某個時刻，增大電容將不再降低噪聲。剩余的噪聲來自誤差放大器、FET 等。

添加電容器還會在啟動期間引入 RC 延遲，從而導(dǎo)致輸出電壓以較慢的速度斜升。當(dāng)輸出或負(fù)載上存在大容量電容并且您需要減輕浪涌電流時，這是有利的。

以下公式將浪涌電流表示為：

為了減少浪涌電流，您必須降低輸出電容或降低壓擺率。幸好，CNR/SS 有助于實現(xiàn)后者，如圖 5 所示的 TPS7A85 相關(guān)內(nèi)容。

圖 5：TPS7A85 的啟動過程與 CNR/SS 的關(guān)系

如您所見，增加 CNR/SS 值會導(dǎo)致啟動時間延長，從而防止浪涌電流尖峰并可能觸發(fā)限流事件。請注意，某些具有 NR 引腳的 LDO 不會實現(xiàn)軟啟動功能。它們能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動電路，即便使用大型降噪電容器也有助于實現(xiàn)超短啟動時間。

結(jié)語

低噪聲 LDO 對于確保清潔直流電源至關(guān)重要。選擇具有低噪聲特性的 LDO 并實施相關(guān)技術(shù)以確保盡可能干凈的輸出非常重要。使用 CNR/SS 有兩大優(yōu)勢：它使您能夠控制壓擺率和過濾基準(zhǔn)噪聲。