摘要：

微波組件的調(diào)試工藝特殊復雜，尤其在微組裝部分，載體及芯片會頻繁地返修更換。主要介紹了幾種常用的載體和芯片的裝配及返修工藝，驗證了粘接或燒結(jié)的芯片及載體的剪切強度是否滿足GJB548中方法2019的相關(guān)要求，對比了使用的幾種導電膠及焊料裝配后的剪切強度。結(jié)果表明：使用導電膠粘接的芯片及載體，可反復進行返修，剪切強度無明顯變化；采用燒結(jié)工藝的芯片及載體，可滿足一次返修，超過兩次返修后，焊接表面氧化嚴重，剪切強度有明顯下降。

引言

隨著微波多芯片組件在現(xiàn)代軍民用領(lǐng)域應(yīng)用的日益擴大，微波組件不斷向小型化、高密度、高可靠和高性能的方向發(fā)展，對微波組件的裝配及調(diào)試工藝提出了更高的要求。目前，大量的微波組件采用混裝工藝，既有印制板或軟基板的焊接、大量表貼器件及封裝模塊的回流焊接、絕緣子連接器的電氣互聯(lián)等電裝工藝，又有芯片及片式電容的粘接或共晶、載體（或稱為墊片、熱沉、襯底等）或共晶載體的粘接或低溫燒結(jié)、金絲（帶）鍵合和芯片倒裝焊接等微組裝工藝，同時大量采用了激光封焊等氣密封裝技術(shù)，具有多個溫度梯度的燒結(jié)或粘接。大量密集芯片及載體的裝配，微組裝部分容易受到電裝焊接的污染等特點，同時還存在難以察覺的失效隱患故障，試驗條件嚴苛。因此在微波組件裝配與調(diào)試中設(shè)立了自檢、互檢、專檢的工位，在工藝設(shè)計時充分考慮溫度梯度的可實施性及返修的可行性，在調(diào)試時采用多種手段，嚴格按照相關(guān)程序文件進行。

針對微波組件特殊復雜的維修工藝，文中主要從微組裝的芯片及載體的維修工藝入手，研究其裝配及返修工藝，驗證粘接或燒結(jié)的芯片及載體的剪切強度是否滿足GJB 548中方法2019的相關(guān)要求，并對比使用的幾種導電膠及焊料裝配后的剪切強度。

1 試驗工藝與設(shè)備

1.1 裝配及檢測工藝設(shè)備

載體及芯片的粘接使用手動點膠機。點膠時間可調(diào)，范圍為0.008~99.999 s。點膠壓力可調(diào)，范圍為0~0.69 MPa。配件為：5 ml針筒+27G透明色針頭。使用參數(shù)為：時間0.1~3.0 s，壓力0.21~0.28 MPa。

載體及芯片的共晶及低溫燒結(jié)使用共晶焊接機。低溫燒結(jié)時加熱溫度為160 ℃，芯片共晶時加熱溫度為280 ℃。

使用剪切力測試儀測量粘接或燒結(jié)的載體及芯片的剪切強度。

1.2 裝配及返修用材料及工藝 對于載體的粘接，使用導電膠84-1A，固化參數(shù)為：170 ℃，30 min。對于芯片的粘接，使用導電膠H20E，固化參數(shù)為：150 ℃，30 min。

對于芯片的共晶焊接，使用Au80Sn20焊料進行焊接；對于載體或共晶載體的低溫焊接，使用In80Pb15Ag5或Sn43Pb43Bi14材料。根據(jù)管殼大小設(shè)定加熱溫度，一般為焊料熔點上調(diào)10~20 ℃。

對于粘接的芯片及載體的返修，由于管殼中的溫度梯度的限制，經(jīng)過前期試驗進行研究，使用H20E進行粘接，固化參數(shù)為100 ℃，150 min。

對于共晶的芯片進行返修時，一般將芯片及共晶的載體一并進行鏟除，后使用H20E進行粘接，固化參數(shù)為100 ℃，150 min。

對于共晶載體的低溫燒結(jié)，其返修工藝為加熱到原先溫度后，待焊料熔化后取出，并使用新的共晶載體進行替換。若存在不能承受此加熱溫度的器件或模塊時，需在返修前將這些先拆除后再進行返修。

選用的導電膠有84-1A、H20E、EK1000三種常用導電膠；選用的焊料為Au80Sn20、In80Pb15Ag5；選用的載體有可伐、鉬銅載體（Mo80Cu20）；選用的芯片有HMC462（GaAs材料）、3590、Si基材料的微機電系統(tǒng)（MEMS）和芯片電容（陶瓷材料）。為保證熱膨脹系數(shù)盡量接近的原則，Si基芯片使用可伐合金載體，而GaAs、陶瓷的芯片使用鉬銅載體。材料及相關(guān)參數(shù)見表1。

表1 導電膠/焊料/芯片/載體參數(shù)

2 試驗結(jié)果及分析

2.1 導電膠粘接裝配及返修工藝

使用20 mm×20 mm×2 mm的鋁合金墊塊模擬管殼進行試驗，墊塊表面鍍銀處理。使用手動點膠機進行載體的粘接，點膠量及粘接效果如圖1所示。

圖1 載體粘接圖

對于需要載體安裝的芯片，其粘接工藝為先將載體粘接到管殼內(nèi)，后粘接芯片。對于無需裝配載體的芯片，如MEMS濾波器，由于其芯片的特殊性，直接將芯片粘接到管殼內(nèi)，為保證其散熱性能，使用EK1000導電膠進行粘接，粘接效果如圖2所示。

圖2 MEMS粘接效果圖

導電膠固化完成后，使用剪切力測試儀測量其剪切強度。測試方法及結(jié)果如圖3所示。將推刀貼近但不接觸墊塊及被測樣品，后進行測量，待樣品被推刀推斷后自動讀出數(shù)據(jù)。

圖3 剪切力測試

對載體及芯片完成推拉力試驗后，將墊板上殘余的導電膠拆除平整后，重新使用H20E導電膠粘接，固化參數(shù)為100 ℃，150 min。鏟除后的墊板表面如圖4所示。

圖4 去除導電膠后的墊板表面

重新粘接固化完成后，使用剪切力測試儀進行測量其剪切強度。測試結(jié)果如圖5所示。推拉力試驗測試的數(shù)據(jù)見表2。

圖5 返修后載體及芯片背面 表2 推拉力測試結(jié)果

針對GJB 548B-2005中2019 芯片剪切強度的失效判據(jù)，對測試樣品尺寸（ S ）和強度（ F ）的對應(yīng)關(guān)系為：

1） S ＞4.13 mm 2 ， F ＞50 N；

2）0.32 mm 2 ≤ S ≤4.13 mm 2 ， F ＞12.14 S -0.14（N）；

3） S ＜0.32 mm 2 ， F ＞12 N。

根據(jù)以上對應(yīng)關(guān)系，得出試驗樣品與所需最小推力值，具體見表3。

表3 樣品與最小推力值關(guān)系

由表3可知，試驗中樣品的剪切強度均遠遠高于GJB 548B中規(guī)定的最小承受應(yīng)力值。在載體粘接方面，大面積載體粘接的剪切強度可達到最小規(guī)定值的10倍以上。且由于導電膠及固化溫度的限制，返修后的粘接強度無法達到第一次裝配的強度，只能達到第一次正常裝配的80%左右的強度。從推拉力后的載體背面觀察，第一次正常裝配后，載體表面膠量較小，小面積的載體尤為明顯，膠量殘留只有10%左右的面積。而返修后的載體，膠量殘留可達到80%以上，分析認為這與返修時對表面進行了清理，增加了表面粗糙度有關(guān)。對于MEMS芯片的剪切強度，正常裝配與返修后的芯片剪切強度差距不大，分析認為這與兩種導電膠在這兩種固化溫度下的粘接強度有關(guān)。對于芯片的剪切強度，由于芯片材料很脆，因此剪切強度較低，遠遠小于載體的剪切強度。經(jīng)過一次返修后芯片的剪切強度，比第一次粘接的芯片強度略高，約為10%。分析認為，返修時對表面進行了清理，增加了表面粗糙度，以及低溫長時間的固化可能比正常裝配時的導電膠的粘接強度略高。對上述材料進行多次維修，并進行推拉力測試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)與第一次返修的剪切強度無明顯差別。

2.2 焊料燒結(jié)裝配及返修工藝

芯片共晶及載體燒結(jié)工藝為：先使用AuSn焊料將芯片共晶到載體上，再使用In80Pb15Ag5焊料將共晶載體燒結(jié)到管殼上。芯片共晶及載體燒結(jié)后的返修工藝為：加熱臺加熱管殼，待In80Pb15Ag5焊料熔化后將共晶載體取出，重新共晶芯片到載體后，用In80Pb15Ag5焊料焊接共晶載體到管殼上。裝配及返修效果如圖6所示。圖6（a）左側(cè)為共晶載體的燒結(jié)，右側(cè)為載體的燒結(jié)。圖6（b）為兩次返修后拆除載體的墊板表面，中間區(qū)域為燒結(jié)區(qū)域。

圖6 芯片及載體燒結(jié)圖

對共晶芯片及載體的推拉力試驗結(jié)果見表4。

表4 燒結(jié)芯片及載體推拉力測試結(jié)果

可以看出，共晶芯片及共晶載體（正常裝配及返修后）的剪切強度滿足GJB 548B的要求，其中正常裝配下的共晶載體的剪切強度可達到標準值的9倍以上，且第一次返修后，強度可比第一次的剪切強度提高10%左右。但經(jīng)過多次返修后，從圖6(b)中可看出，墊板表面的附著焊錫出現(xiàn)較為嚴重的氧化現(xiàn)象，表面焊錫發(fā)灰白狀，不光亮，難以去除，剪切強度呈明顯下降趨勢，只能達到前期強度的17%左右。

通過上述試驗，得出所選材料的剪切強度為：

In80Pb15Ag5＞Au80Sn20＞84-1A＞H20E＞EK-1000。

3 結(jié)束語

主要介紹了幾種常用的載體和芯片的裝配和返修工藝，以及選用的幾種燒結(jié)及粘接的材料，驗證了粘接或燒結(jié)的芯片及載體的剪切強度可完全滿足按照GJB 548方法2019的相關(guān)要求，但燒結(jié)載體在2次返修后強度會發(fā)生明顯下降。對比使用的幾種導電膠及焊料裝配后的剪切強度：In80Pb15Ag5＞Au80Sn20＞84-1A＞H20E＞EK-1000。（參考文獻略）