如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件,如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Off狀態(tài)下小號(hào)的功率非常小,實(shí)現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率,熱損耗極低。
開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn),課件開關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。本文僅就開關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。

上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP0030A等探頭。
以上方案中通過示波器專門的開關(guān)損耗算法,配合泰克探頭,完美補(bǔ)償探頭延遲,減少了開關(guān)損耗運(yùn)算過程中產(chǎn)生的誤差。測(cè)試結(jié)果極為可靠。
TCP0030A及THDP0200參數(shù):

探頭外觀圖

TCP0030A

THDP0200
附:常見參數(shù)介紹
1、帶寬,代表了探頭可測(cè)到的最大信號(hào)頻率
2、共模抑制比,代表了探頭抑制共模干擾的能力,越大代表抑制能力越強(qiáng)
3、輸入電容,代表探頭對(duì)于被測(cè)系統(tǒng)的負(fù)載影響,輸入電容越低,影響越小測(cè)試效果越好。
審核編輯:湯梓紅
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8392瀏覽量
219144 -
示波器
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
6606瀏覽量
188522 -
探頭
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1262瀏覽量
42500 -
開關(guān)損耗
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
66瀏覽量
13683
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
功率器件開關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
示波器差分探頭使用
影響MOSFET開關(guān)損耗的因素
如何判斷進(jìn)口示波器探頭的真?zhèn)?/a>

示波器探頭衰減設(shè)置在示波器的哪里
示波器探頭衰減系數(shù)對(duì)測(cè)試的影響
闡述示波器探頭上的衰減開關(guān)功能
示波器探頭和示波器需要匹配嗎
示波器探頭在測(cè)試的時(shí)候會(huì)引入什么負(fù)載效應(yīng)
示波器探頭補(bǔ)償怎么調(diào)
示波器探頭x1和x10在哪設(shè)置
差分探頭在測(cè)量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

評(píng)論