電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）日前，皇庭國際發(fā)布公告稱，其全資子公司皇庭基金近日簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，擬收購意發(fā)功率合計(jì)14.43%股權(quán)，價(jià)格為8300萬元。

而此前皇庭基金已通過增資5000萬元獲得意發(fā)功率約13.38%的股權(quán)，上述交易完成后，皇庭基金將合計(jì)持有意發(fā)功率約27.8%的股權(quán)。

皇庭國際是一家以商業(yè)不動(dòng)產(chǎn)綜合運(yùn)營服務(wù)為主要業(yè)務(wù)的上市公司，因?yàn)楫?dāng)前房地產(chǎn)行業(yè)不景氣，皇庭國際2020年和2021年兩年合計(jì)虧損14.5億元。

對于皇庭國際來說，急于尋找新的突破口，而收購意發(fā)功率，進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體，正是為推動(dòng)公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，然而這也從側(cè)面反映出，第三代半導(dǎo)體當(dāng)下的投資極其火熱。

投資火熱，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能將過剩

當(dāng)前，全球都在大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體，地方政府不斷出臺(tái)支持政策，比如深圳，今年6月，深圳市政府在發(fā)布的《培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃（2022-2025年）》通知中明確提出發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

《計(jì)劃》指出，深圳將重點(diǎn)布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線，提升氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體材料與設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)水平，加速器件制造技術(shù)開發(fā)、轉(zhuǎn)化和首批次應(yīng)用。

同時(shí)，面向5G通信、新能源汽車、智能終端等新興應(yīng)用市場，大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體企業(yè)，并鼓勵(lì)企業(yè)推廣試用化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品，提升系統(tǒng)和整機(jī)產(chǎn)品的競爭力。

過去幾年，全國各地陸續(xù)落地第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，有市場調(diào)研機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，自2017年到2021年10月，全國超20個(gè)省、覆蓋超40個(gè)城市，新簽約落地第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目超70個(gè)，且項(xiàng)目投資額不斷增大，2020年全國就有超過6個(gè)總投資超50億元項(xiàng)目落地。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，分為上游原材料供應(yīng)，中游第三代半導(dǎo)體制造和下游第三代半導(dǎo)體器件環(huán)節(jié)。上游原材料包括襯底和外延片；中游包括第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試；下游為第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用，包括微波射頻器件、電力電子器件和光電子器件等。

從企業(yè)來看，襯底片主要有露笑科技、三安光電、天科合達(dá)、山東天岳、維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等；外延片廠商主要有瀚天天成、東莞天域、晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、英諾賽科，蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等；第三代半導(dǎo)體器件的廠商包括比亞迪半導(dǎo)體、聞泰科技、華潤微、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技、泰科天潤等。

除了國內(nèi)各產(chǎn)業(yè)鏈不斷推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)程之外，臺(tái)企晶圓代工大廠及國際功率半導(dǎo)體企業(yè)廠商都在加大產(chǎn)能投建。上個(gè)月消息，聯(lián)電正加速擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體布局，主攻8英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，近期大舉購置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)下半年將進(jìn)駐8英寸AB廠。

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，早在2021年12月29日，聯(lián)電就已通過投資聯(lián)穎，切入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。聯(lián)電計(jì)劃從6英寸GaN入手，之后將展開布局SiC，并向8英寸晶圓發(fā)展。

在GaN代工市場，除了聯(lián)電，臺(tái)積電、世界先進(jìn)等傳統(tǒng)硅晶圓廠商也在向這個(gè)市場靠攏。臺(tái)積電自2014年就開始布局第三代半導(dǎo)體，目前已小批量提供6英寸GaN晶圓代工服務(wù)。世界先進(jìn)已展開8英寸GaN on Si研發(fā)。

另外硅晶圓廠商環(huán)球晶2021年宣布，將大幅擴(kuò)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體，GaN及SiC產(chǎn)能均將翻倍增長。漢磊暨嘉晶董事長徐建華2021年也表示，公司將在未來2到3年投資0.8到1.0億美元，增加6英寸SiC產(chǎn)能達(dá)5到7倍，GaN月產(chǎn)能明年倍增至2000片。嘉晶預(yù)計(jì)將投入5000萬美元擴(kuò)產(chǎn)，將SiC基板產(chǎn)能擴(kuò)增7到8倍，GaN基板產(chǎn)能計(jì)劃提高2到2.5倍。

英飛凌、意法半導(dǎo)體都表示將在全球不同國家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠，意法半導(dǎo)體表示將投入約9億美元用于戰(zhàn)略投資，包括對氮化鎵技術(shù)和碳化硅原材料的投入。英飛凌將投入超過20億歐元，在馬來西亞新建第三代半導(dǎo)體模組廠。

可以看到，從國內(nèi)外來看，政府、產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)、晶圓代工廠商都在積極投入到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建設(shè)中。在這個(gè)背景下，北京大學(xué)教授、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波此前表示，第三代半導(dǎo)體投資熱潮下，若都實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，近期恐將引發(fā)一定程度產(chǎn)能過剩。

市場需求放大，可以很好地利用釋放的產(chǎn)能

未來，第三代半導(dǎo)體市場需求將會(huì)持續(xù)擴(kuò)大，根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2021-2025年，我國SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場將以45%的年復(fù)合增長率增長至2025年的近300億元；GaN微波射頻器件市場規(guī)模將以25.4%的年均復(fù)合增長率增長至2025年的205億元。2025年第三代半導(dǎo)體整體市場規(guī)模有望超過500億元。

工業(yè)、儲(chǔ)能、新能源汽車將是大幅拉升第三代半導(dǎo)體的市場需求的幾大領(lǐng)域，電子發(fā)燒友此前報(bào)道，隨著電動(dòng)車滲透率的不斷升高以及整車架構(gòu)朝800伏方向邁進(jìn)，預(yù)計(jì)2025年全球?qū)iC的需求量將會(huì)達(dá)到169萬片，其中絕大部分的應(yīng)用將會(huì)體現(xiàn)在汽車的主逆變器。

受益于新能源革命，下游的光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車以及工業(yè)自動(dòng)化的爆發(fā)，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來了新的高景氣周期，整個(gè)功率半導(dǎo)體、分離器件和模塊的市場規(guī)模將從2020年的204億美金增長到2025年的274億美金，寬禁帶半導(dǎo)體的市場規(guī)模將從2020年的不到5%達(dá)到2025年的接近17%。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤此前從能源的角度談到，到2025年，全球可再生能源發(fā)電量有望超過燃煤發(fā)電量，將推動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件的用量迅速增長。在用電端，由于數(shù)據(jù)中心、5G通信等場景用電量巨大，節(jié)電降耗的重要性凸顯，將成為率先采用第三代半導(dǎo)體器件做大功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。

可見，新能源汽車、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，將會(huì)持續(xù)拉升對第三代半導(dǎo)體的市場需求，很好的利用逐步釋放的產(chǎn)能。同時(shí)產(chǎn)業(yè)界加大產(chǎn)能的建設(shè)，無疑是看到了新能源汽車等領(lǐng)域未來的市場前景，不過在產(chǎn)業(yè)界也需要注意投資是否過熱，謹(jǐn)防產(chǎn)能過剩的可能。