特性

?30V對(duì)峙電壓

?固定6.0V保護(hù)電壓

?集成OTP

?環(huán)境溫度:-40℃~85℃

?最大負(fù)載電流2A

?典型等效導(dǎo)通電阻110mΩ?輸入OVP, 0.1us反應(yīng)時(shí)間

?SOT-23-3, SOT23-6封裝

應(yīng)用程序

?所有帶有輸入直流電源插頭的電子設(shè)備

?由于電子煙

?汽車(chē)攝像頭

?手機(jī)

一般的描述

RY2334是一種高壓30V過(guò)電壓保護(hù)器(OVP)，它具有低通電阻，只需改變外部連接。可作為OVP器件或高壓開(kāi)關(guān)。RY2334由一個(gè)電荷泵組成，一個(gè)可配置的功率MOSFET，一個(gè)電壓基準(zhǔn)，一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和一些邏輯和保護(hù)模塊。RY2334能快速對(duì)輸入浪涌做出反應(yīng)，并在0.1us以?xún)?nèi)關(guān)閉開(kāi)關(guān)。RY2334可在SOT-23-3中使用，SOT23-6包。

典型應(yīng)用電路

銷(xiāo)的描述

銷(xiāo)的配置

RY2334AT3上標(biāo):mAYLL[設(shè)備代碼:mA, Y=年份代碼，LL=批號(hào)代碼)

RY2334AT6上標(biāo):mBYLL[設(shè)備代碼:mB, Y=年份代碼，LL=批號(hào)代碼)

規(guī)范

絕對(duì)最大額定值(1)(2)

注意(1):超過(guò)這些額定值可能會(huì)損壞設(shè)備。

注(2):設(shè)備不保證在其工作條件以外的功能。

注(3):最大允許功率耗散是最大結(jié)溫TJ(MAX)的函數(shù)，結(jié)-環(huán)境熱電阻RθJA和環(huán)境溫度TA。最大允許功率根據(jù)PD (MAX) = (TJ(MAX)?TA)/RθJA計(jì)算任意環(huán)境溫度下的耗散。超過(guò)了最大允許的功率損耗導(dǎo)致模具溫度過(guò)高，調(diào)節(jié)器進(jìn)入熱停機(jī)。

內(nèi)部熱關(guān)閉電路保護(hù)設(shè)備免受永久損壞。熱停堆在TJ=160°C(典型)，在TJ= 130°C(典型)時(shí)分離

注(1):除非另有規(guī)定，所有限定溫度均為室溫(TA = 25°C)。所有房間溫度限度是100%生產(chǎn)測(cè)試。所有極端溫度的限制都是通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行關(guān)聯(lián)來(lái)確保的統(tǒng)計(jì)質(zhì)量控制(SQC)方法。所有限制都用于計(jì)算平均出廠質(zhì)量等級(jí)(AOQL)。

注(1):封裝熱阻抗按照J(rèn)ESD 51-7計(jì)算。

注(2):熱電阻是在4層JEDEC板上模擬的

電特性

除非另有說(shuō)明，VIN =5V, TA=25℃

詳細(xì)描述

RY2334可以斷開(kāi)系統(tǒng)從其輸出引腳(OUT)，以防錯(cuò)誤的輸入操作條件被檢測(cè)。

系統(tǒng)為正過(guò)電壓保護(hù)，最高可達(dá)30V。內(nèi)部的OVLO為6.0V。RY2334也有內(nèi)部over溫度保護(hù)(OTP)功能，可以監(jiān)測(cè)芯片溫度，對(duì)設(shè)備進(jìn)行保護(hù)。

注意:

1. 控制尺寸以英寸為單位。括號(hào)內(nèi)尺寸以毫米為單位。

2. 包裝長(zhǎng)度不包括模具毛邊、凸出物或澆口毛刺。

3.封裝寬度不包括導(dǎo)線間的閃光或突起。

4. 引線共面度(成型后的引線底部)最大應(yīng)為0.004英寸。

5. 圖紙符合jedec ms-012，變型ba。

6. 圖紙不按比例繪制。

注意:

1. 控制尺寸以英寸為單位。括號(hào)內(nèi)尺寸以毫米為單位。

2. 包裝長(zhǎng)度不包括模具毛邊、凸出物或澆口毛刺。

3.封裝寬度不包括導(dǎo)線間的閃光或突起。

4. 引線共面度(成型后的引線底部)最大應(yīng)為0.004英寸。

5. 圖紙符合jedec ms-012，變型ba。

6. 圖紙不按比例繪制。

審核編輯：符乾江