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NP90P012D6 12V p通道增強模式MOSFET概述

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-05 09:31 ? 次閱讀
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描述

NP90P012D6采用了先進的溝槽技術提供優良的RDS(ON),本設備適用于用作負載開關或PWM應用。

一般特征

?VDS = -12v id = -90a

RDS(上)(Typ) = 3.9Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 5.1Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測試

應用程序

?PWM程序

?負荷開關

?不間斷電源

?PDFN5 * 6-8L-A

pYYBAGLDk4uAZEx_AADjT9-Z-DU648.png

訂購信息

pYYBAGLDk6mAYlLeAAA3Bkd07b4021.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLDk8qAQttIAACx-p8kSQs700.png

工作結溫范圍Tj -55-150℃

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLDlAWAAEWMAAJg9S2BdpE653.png

熱特性

pYYBAGLDlB-AQhq4AABl08z1how770.png

答:R qJA是用設備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環境中T = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。目前的評級是基于t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結到引線R qJL和引線到環境的熱阻抗之和

審核編輯:湯梓紅

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