描述
NP3417EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供卓越的RDS(ON)
?V
,低柵極電荷和
工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備
適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
DS = -20 v, ID
R
= 3
DS(上)(Typ) = 43 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 51米Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?ESD額定電壓:2500V HBM
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?SOT-23
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)
熱特性
注:
a:TC = 25℃。b:表面安裝在1“x 1”FR4板上。
c:t = 5 s。d:穩(wěn)態(tài)條件下最大為175°c /W。
電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)
審核編輯 黃昊宇
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MOSFET
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PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管
CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

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評(píng)論