這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET,同時大幅減小基底面尺寸。集成的 10kΩ 箝位電阻器 (RC) 允許柵極電壓 (VGS) 在高于 –6V 的最大內部柵極氧化值 (VGS) 上運行,具體取決于占空比。當 VGS 增加到 –6V 以上時,通過二極管的柵極泄漏 (IGSS) 會增加。
*附件:CSD25501F3 –20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 數據表.pdf
特性
- 低導通電阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.7 毫米 × 0.6 毫米
- 低調
- 最大高度 0.22 毫米
- 集成 ESD 保護二極管
- 無鉛和無鹵素
- 符合 RoHS 規范
參數
方框圖
1. 產品特點
- ?低導通電阻?:64mΩ(V GS = –4.5V)
- ?超低柵極電荷?:Q g = 1.02nC(V GS = –4.5V)
- ?超小封裝?:0.7mm × 0.6mm LGA封裝,最大高度0.22mm
- ?集成ESD保護二極管?
- ?無鉛和無鹵素?
- ?RoHS合規?
2. 應用領域
- ?負載開關應用?
- ?電池應用?
- ?手持和移動設備?
3. 電氣特性
- ?最大漏源電壓?:V DS = –20V
- ?最大柵源電壓?:V GS = –20V
- ?連續漏極電流?:I D = –3.6A
- ?脈沖漏極電流?:I DM = –13.6A(脈沖持續時間≤100μs,占空比≤1%)
- ?功率耗散?:P D = 500mW
- ?閾值電壓?:V GS(th) = –0.75V
4. 熱信息
- ?熱阻?:
- R θJA = 90°C/W(安裝在FR4材料上,1in2銅面積)
- R θJA = 255°C/W(安裝在FR4材料上,最小銅面積)
5. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:LGA(Land Grid Array)
- ?尺寸?:0.7mm × 0.6mm × 0.22mm(最大高度)
6. 柵極電荷與電容
- ?柵極總電荷?:Q g = 1.02nC(V GS = –4.5V)
- ?柵極到漏極電荷?:Q gd = 0.09nC
- ?輸入電容?:C iss = 295pF(V GS = 0V, V DS = –10V, f = 100kHz)
- ?輸出電容?:C oss = 70pF
- ?反向傳輸電容?:C rss = 4.1pF
7. 開關特性
- ?開啟延遲時間?:t d(on) = 474ns(V DS = –10V, V GS = –4.5V, I DS = –0.4A)
- ?上升時間?:t r = 428ns
- ?關斷延遲時間?:t d(off) = 1154ns
- ?下降時間?:t f = 945ns
8. 二極管特性
- ?二極管正向電壓?:V SD = –0.73V至–0.95V(I SD = –0.4A, V GS = 0V)
- ?反向恢復電荷?:Q rr = 3.0nC(V DS = –10V, I F = –0.4A, di/dt = 200A/μs)
- ?反向恢復時間?:t rr = 7.4ns
9. 安全操作區域
- 提供了最大漏極電流與溫度的關系圖,以及最大安全操作區域圖。
CSD25501F3是一款專為手持和移動設備優化的P溝道MOSFET,具有低導通電阻、超低柵極電荷和超小封裝等特點,適用于負載開關和電池應用等領域。
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