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CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊

科技綠洲 ? 2025-04-15 16:17 ? 次閱讀

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET,同時大幅減小基底面尺寸。集成的 10kΩ 箝位電阻器 (RC) 允許柵極電壓 (VGS) 在高于 –6V 的最大內部柵極氧化值 (VGS) 上運行,具體取決于占空比。當 VGS 增加到 –6V 以上時,通過二極管的柵極泄漏 (IGSS) 會增加。
*附件:CSD25501F3 –20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 數據表.pdf

特性

  • 低導通電阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.7 毫米 × 0.6 毫米
  • 低調
    • 最大高度 0.22 毫米
  • 集成 ESD 保護二極管
  • 無鉛和無鹵素
  • 符合 RoHS 規范

參數
image.png

方框圖

image.png

1. 產品特點

  • ?低導通電阻?:64mΩ(V GS = –4.5V)
  • ?超低柵極電荷?:Q g = 1.02nC(V GS = –4.5V)
  • ?超小封裝?:0.7mm × 0.6mm LGA封裝,最大高度0.22mm
  • ?集成ESD保護二極管?
  • ?無鉛和無鹵素?
  • ?RoHS合規?

2. 應用領域

3. 電氣特性

image.png

  • ?最大漏源電壓?:V DS = –20V
  • ?最大柵源電壓?:V GS = –20V
  • ?連續漏極電流?:I D = –3.6A
  • ?脈沖漏極電流?:I DM = –13.6A(脈沖持續時間≤100μs,占空比≤1%)
  • ?功率耗散?:P D = 500mW
  • ?閾值電壓?:V GS(th) = –0.75V

4. 熱信息

  • ?熱阻?:
    • R θJA = 90°C/W(安裝在FR4材料上,1in2銅面積)
    • R θJA = 255°C/W(安裝在FR4材料上,最小銅面積)

5. 封裝與尺寸

image.png

  • ?封裝類型?:LGA(Land Grid Array)
  • ?尺寸?:0.7mm × 0.6mm × 0.22mm(最大高度)

6. 柵極電荷與電容

  • ?柵極總電荷?:Q g = 1.02nC(V GS = –4.5V)
  • ?柵極到漏極電荷?:Q gd = 0.09nC
  • ?輸入電容?:C iss = 295pF(V GS = 0V, V DS = –10V, f = 100kHz)
  • ?輸出電容?:C oss = 70pF
  • ?反向傳輸電容?:C rss = 4.1pF

7. 開關特性

  • ?開啟延遲時間?:t d(on) = 474ns(V DS = –10V, V GS = –4.5V, I DS = –0.4A)
  • ?上升時間?:t r = 428ns
  • ?關斷延遲時間?:t d(off) = 1154ns
  • ?下降時間?:t f = 945ns

8. 二極管特性

  • ?二極管正向電壓?:V SD = –0.73V至–0.95V(I SD = –0.4A, V GS = 0V)
  • ?反向恢復電荷?:Q rr = 3.0nC(V DS = –10V, I F = –0.4A, di/dt = 200A/μs)
  • ?反向恢復時間?:t rr = 7.4ns

9. 安全操作區域

  • 提供了最大漏極電流與溫度的關系圖,以及最大安全操作區域圖。

CSD25501F3是一款專為手持和移動設備優化的P溝道MOSFET,具有低導通電阻、超低柵極電荷和超小封裝等特點,適用于負載開關和電池應用等領域。

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