CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應用提供低元件數量。
*附件：CSD87313DMS 30V 雙通道 N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 低源極到源極導通電阻
• 雙通道共漏極 N 溝道 MOSFET
• 針對 5V 柵極驅動進行了優化
• 低 Qg和 QGD
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩評級
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：CSD87313DMS
• ?類型?：30V 雙通道 N 溝道 NexFET 功率 MOSFET
• ?封裝?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
• ?特點?：低源到源導通電阻、雙共漏N溝道MOSFET、優化5V柵極驅動、低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd）、低熱阻、雪崩額定、無鉛端子鍍層、RoHS合規、無鹵素

2. 應用領域

• USB Type-C? 和電源傳輸（PD）總線保護
• 電池保護
• 負載開關

3. 主要規格

• ? 源到源電壓（V_S1S2） ?：30V
• ? 柵極到源極電壓（V_GS） ?：±10V
• ? 連續源電流（I_S1S2） ?：17A
• ? 脈沖源電流（I_SM） ?：120A（T_A = 25°C，占空比≤2%，脈沖持續時間≤300μs）
• ? 功率耗散（P_D） ?：2.7W（典型R_θJA = 45°C/W）
• ? 最大結溫（T_J, T_stg） ?：-55°C 至 150°C
• ? 雪崩能量（E_AS） ?：67mJ（單脈沖，I_D = 37A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

4. 電氣特性

• ?靜態特性?：
  • 源到源泄漏電流（I_S1S2）：1μA（V_G1S1=0V, V_G2S2=0V, V_S1S2=24V）
  • 柵極到源極泄漏電流（I_GSS）：100nA（V_S1S2=0V, V_GS=10V）
  • 柵極到源極閾值電壓（V_GS(th)）：0.6V 至 1.2V（V_S1S2=V_GS, I_S1S2=250μA）
  • 源到源導通電阻（R_S1S2(on)）：4.6mΩ 至 9.6mΩ（V_GS = 2.5V 至 4.5V, I_S1S2 = 20A 至 23A）
• ?動態特性?：
  • 輸入電容（C_ISS）：3300pF 至 4290pF（V_GS=0V, V_S1S2=15V, f=1MHz）
  • 輸出電容（C_OSS）：281pF 至 365pF
  • 反向傳輸電容（C_RSS）：154pF 至 200pF
  • 柵極電荷（Q_g）：28nC（V_S1S2=15V, I_S1S2=23A, V_G1S1=4.5V, V_G2S2=0V）
  • 柵極到漏極電荷（Q_gd）：6.0nC
  • 開啟延遲時間（t_d(on)）：9ns
  • 上升時間（t_r）：27ns
  • 關斷延遲時間（t_d(off)）：41ns
  • 下降時間（t_f）：13ns
• ?二極管特性?：
  • 最大連續源到源二極管正向電流（I_fss）：2A（V_G1S1=0V, V_G2S2=4.5V）
  • 源到源二極管正向電壓（V_fss）：0.8V 至 1.0V（V_G1S1=0V, V_G2S2=4.5V, I_fss=23A）

5. 熱信息

• ? 結到環境熱阻（R_θJA） ?：45°C/W（安裝在1in2 2-oz Cu板上）或 125°C/W（安裝在最小2-oz Cu板上）

6. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
• ?可訂購型號?：CSD87313DMS（2500片/13英寸卷帶）和CSD87313DMST（250片/7英寸卷帶）