CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應用提供較少的元件數量。
*附件：CSD87503Q3E 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 雙通道 N 溝道共源極 MOSFET
• 針對 5V 柵極驅動進行了優化
• Low-Thermal Resistance
• 低 Qg和 QGD
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?產品名稱?：CSD87503Q3E
• ?類型?：30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
• ?封裝?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
• ?特性?：雙N溝道共用源極MOSFET，優化用于5V門驅動，低熱阻，低柵極電荷（Qg 和 Qgd）

2. 應用領域

• USB Type-C/PD VBus 保護
• 電池保護
• 負載開關

3. 主要特性

• ?電壓?：漏源電壓（VDS）最高30V
• ?電阻?：漏到漏導通電阻（RDD(on)）在VGS=4.5V時為17.3mΩ，在VGS=10V時為13.5mΩ
• ?柵極電荷?：總柵極電荷（Qg）在4.5V時為13.4nC，在10V時為32.9nC
• ?閾值電壓?：柵源閾值電壓（VGS(th)）為1.7V
• ?封裝特性?：無鉛終端電鍍，RoHS 合規，無鹵素

4. 絕對最大額定值

• 漏源電壓（VDS）：30V
• 柵源電壓（VGS）：±20V
• 連續漏到漏電流（ID1,D2）：10A
• 脈沖漏到漏電流（ID1,D2M）：89A（脈沖持續時間≤100μs，占空比≤1%）
• 功率耗散（PD）：2.6W（典型RθJA=50°C/W時）
• 工作結溫和存儲溫度（TJ, Tstg）：-55°C至150°C

5. 熱特性

• 結到外殼熱阻（RθJC）：8°C/W
• 結到環境熱阻（RθJA）：典型值為50°C/W（安裝在1英寸2、2盎司厚銅墊的FR4 PCB上）

6. 電氣特性

• ?靜態特性?：包括漏源擊穿電壓（BVDSS）、漏源泄漏電流（IDSS）、柵源泄漏電流（IGSS）等
• ?動態特性?：包括輸入電容（CISS）、輸出電容（COSS）、反向傳輸電容（CRSS）、柵極電荷（Qg、Qgd、Qgs）等
• ?二極管特性?：包括二極管正向電壓（VSD）、反向恢復電荷（Qrr）、反向恢復時間（trr）

7. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SON 3.3mm × 3.3mm
• ?訂購選項?：包括2500個的13英寸卷帶和250個的7英寸卷帶

8. 文檔與支持

• 提供接收文檔更新通知、社區資源鏈接、靜電放電注意事項等

9. 附加信息

• ?推薦PCB模式?：詳細說明了推薦的PCB布局和焊盤設計
• ?推薦網版開口?：提供了激光切割網版的推薦設計