這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。
*附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 低 RDS（開(kāi)啟）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩評(píng)級(jí)
• 邏輯電平
• 無(wú)鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
• 無(wú)鹵素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：CSD18513Q5A
• ?類型?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET
• ?封裝?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝
• ?特點(diǎn)?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端子鍍層、RoHS合規(guī)、無(wú)鹵素

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• DC-DC轉(zhuǎn)換
• 次級(jí)側(cè)同步整流
• 電池電機(jī)控制

3. 電氣特性

3.1 靜態(tài)特性

• ? 漏源電壓（V_DS） ?：40V
• ? 柵源閾值電壓（V_GS(th)） ?：1.5V 至 2.4V
• ? 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：
  • V_GS = 4.5V時(shí)：4.1mΩ 至 5.3mΩ
  • V_GS = 10V時(shí)：2.8mΩ 至 3.4mΩ
• ? 漏源泄漏電流（I_DSS） ?：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 32V）
• ? 柵源泄漏電流（I_GSS） ?：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）

3.2 動(dòng)態(tài)特性

• ? 輸入電容（C_iss） ?：3300pF 至 4280pF（V_GS = 0V, V_DS = 20V, f = 1MHz）
• ? 輸出電容（C_oss） ?：333pF 至 433pF
• ? 反向傳輸電容（C_rss） ?：178pF 至 231pF
• ? 柵極總電荷（Q_g） ?：
  • V_DS = 20V, I_D = 19A時(shí)：
    • V_GS = 4.5V：23nC 至 30nC
    • V_GS = 10V：45nC 至 59nC
• ? 柵極到漏極電荷（Q_gd） ?：8.8nC
• ? 開(kāi)啟延遲時(shí)間（t_d(on)） ?：6ns
• ? 上升時(shí)間（t_r） ?：12ns
• ? 關(guān)斷延遲時(shí)間（t_d(off)） ?：21ns
• ? 下降時(shí)間（t_f） ?：4ns

3.3 二極管特性

• ? 二極管正向電壓（V_SD） ?：0.8V 至 1.0V（I_SD = 19A, V_GS = 0V）
• ? 反向恢復(fù)電荷（Q_rr） ?：12nC（V_DS = 20V, I_F = 19A, di/dt = 300A/μs）
• ? 反向恢復(fù)時(shí)間（t_rr） ?：12ns

4. 熱信息

• ? 結(jié)到殼熱阻（R_θJC） ?：1.3°C/W
• ? 結(jié)到環(huán)境熱阻（R_θJA） ?：
  • 典型值：50°C/W（安裝在1in2 2oz Cu板上）
  • 最大值：125°C/W（安裝在最小2oz Cu板上）

5. 絕對(duì)最大額定值

• ? 漏源電壓（V_DS） ?：40V
• ? 柵源電壓（V_GS） ?：±20V
• ? 連續(xù)漏電流（I_D） ?：
  • 封裝限制：100A
  • 硅限制（T_C = 25°C）：124A
• ? 脈沖漏電流（I_DM） ?：400A
• ? 功率耗散（P_D） ?：
  • 封裝限制：3.1W
  • T_C = 25°C時(shí)：96W
• ? 工作結(jié)溫（T_J）、存儲(chǔ)溫度（T_stg） ?：-55°C 至 150°C
• ? 雪崩能量（E_AS） ?：106mJ（單脈沖，I_D = 46A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

6. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝尺寸?：詳細(xì)尺寸圖見(jiàn)數(shù)據(jù)表第8-9頁(yè)
• ?訂購(gòu)信息?：
  • CSD18513Q5A：2500片/13英寸卷帶
  • CSD18513Q5AT：250片/7英寸卷帶