CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應用的優化設計，可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產品針對 5V 柵極驅動應用進行了優化，提供了一種靈活的解決方案，當與來自外部控制器/驅動器的任何 5V 柵極驅動器配對時，能夠提供高密度電源。
*附件：csd86336q3d.pdf

特性

• 半橋電源塊
• 12 A 時系統效率為 93.0%
• 高達 20A 的運行電流
• 高頻作（高達 1.5 MHz）
• 高密度 SON 3.3mm × 3.3mm 基底面
• 針對 5V 柵極驅動進行了優化
• 低開關損耗
• 超低電感封裝
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• 無鉛端子電鍍

參數

方框圖

1. 概述

• ?產品系列?：NexFET Power Block
• ?型號?：CSD86336Q3D
• ?應用?：適用于同步降壓轉換器，高頻、高電流、低占空比應用，多相同步降壓轉換器，POL DC-DC轉換器，以及IMVP、VRM和VRD應用。

2. 主要特性

• ?高頻操作?：最高可達1.5MHz。
• ?高電流能力?：最高可達20A。
• ?高效率?：在12A時系統效率高達93%。
• ?封裝?：3.3mm × 3.3mm的SON封裝，高密度。
• ?優化?：針對5V門驅動應用優化，提供高密度的電源供應。

3. 絕對最大額定值

• ? 輸入電壓（V_IN to P_GND） ?：25V
• ? 開關節點電壓（V_SW to P_GND） ?：25V（10ns脈沖）
• ? 門極電壓（T_G to T_GR, B_G to P_GND） ?：-8V至+10V
• ? 脈沖電流（IDM） ?：60A
• ? 功率耗散（P_D） ?：6W
• ? 工作溫度（T_J, T_STG） ?：-55°C至150°C

4. 推薦操作條件

• ? 門極驅動電壓（V_GS） ?：4.5V至8V
• ? 輸入電壓（V_IN） ?：22V
• ? 開關頻率（f_SW） ?：最高1500kHz（C_BST = 0.1μF）
• ? 工作溫度（T_A） ?：25°C（除非另有說明）
• ?操作電流?：20A

5. 熱特性

• ? 結到環境的熱阻（R_θJA） ?：最小105°C/W，最大55°C/W
• ? 結到外殼的熱阻（R_θJC） ?：頂部17°C/W，P_GND引腳3.2°C/W

6. 功率塊性能

• ?典型功率損失?：在V_IN = 12V, V_GS = 5V, V_OUT = 1.3V, I_OUT = 15A, f_SW = 500kHz, L_OUT = 950nH, T_J = 25°C條件下為1.8W
• ? 輸入靜態電流（I_QVIN） ?：10μA

7. 電氣特性

• ? 控制FET（Q1） ?和? 同步FET（Q2） ?的詳細電氣參數，包括漏源電壓（BV_DSS）、漏源泄漏電流（I_DSS）、柵源泄漏電流（I_GSS）、柵源閾值電壓（V_GS(th)）、有效AC導通阻抗（Z_DS(on)）等。

8. 應用信息

• ?系統性能?：強調了在同步降壓拓撲中提高轉換效率的重要性，并介紹了CSD86336Q3D如何通過最新一代硅技術和優化封裝技術實現高性能。
• ?功率損失曲線?：提供了功率損失與輸出電流的關系圖，幫助工程師預測產品在實際應用中的性能。
• ?安全操作區域（SOA）曲線?：提供了溫度邊界指導，確保系統在設計負載電流下的安全操作。

9. 布局建議

• ?原理圖概覽?：推薦了與電源塊設備配合使用的關鍵組件，如旁路電容、自舉電容等。
• ?PCB設計概覽?：提供了電氣性能和熱性能優化的建議，包括輸入電容、電感、驅動IC和輸出電容的布局和放置。

10. 包裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SON 3.3mm × 3.3mm
• ?訂購選項?：包括13英寸卷帶（2500個）和7英寸卷帶（250個）