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CSD25501F3 –20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET

數據:

描述

這款-20V,64mΩ,P溝道FemtoFET?MOSFET的設計經過了優化,能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應用的尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時大幅減小封裝尺寸。集成的10kΩ鉗位電阻器(R C )可根據占空比讓柵極電壓(V GS )高于最大內部柵極氧化值-6V。通過二極管的柵極泄漏(I GSS )隨著V GS 增加到高于-6V而增加。

特性

  • 低導通電阻
  • 超低Q g 和Q gd < /sub>
  • 超小尺寸
    • 0.7mm×0.6mm
  • 薄型
    • 最大高度為0.22 mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護二極管
  • 無頂且無鹵素
  • 符合RoHS標準

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25501F3 CSD23280F3 CSD23382F4 CSD25213W10 CSD25480F3
-20 ? ? -12 ? ? -12 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
-20 ? ? -6 ? ? -8 ? ? -6 ? ? -12 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
76 ? ? 116 ? ? 76 ? ? 47 ? ? 159 ? ?
125 ? ? 165 ? ? 105 ? ? 67 ? ? 260 ? ?
260 ? ? 250 ? ? 199 ? ? ? 840 ? ?
-13.6 ? ? -11.4 ? ? -22 ? ? -16 ? ? -10.4 ? ?
-3.6 ? ? -1.8 ? ? -3.5 ? ? -1.6 ? ? -1.7 ? ?
1.02 ? ? 0.95 ? ? 1.04 ? ? 2.2 ? ? 0.7 ? ?
0.09 ? ? 0.068 ? ? 0.15 ? ? 0.14 ? ? 0.1 ? ?
0.45 ? ? 0.3 ? ? 0.5 ? ? 0.74 ? ? 0.26 ? ?
-0.75 ? ? -0.65 ? ? -0.8 ? ? -0.85 ? ? -0.95 ? ?
LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x1.0 ? ? WLP 1.0x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ?

方框圖 (1)

技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 CSD25501F3 相關庫存
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