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這款-20V，64mΩ，P溝道FemtoFET?MOSFET的設計經過了優化，能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應用的尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時大幅減小封裝尺寸。集成的10kΩ鉗位電阻器（R C ）可根據占空比讓柵極電壓（V GS ）高于最大內部柵極氧化值-6V。通過二極管的柵極泄漏（I GSS ）隨著V GS 增加到高于-6V而增加。
所有商標均為其各自所有者的財產。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| ? |
| CSD25501F3 | CSD23280F3 | CSD23382F4 | CSD25213W10 | CSD25480F3 |
|---|---|---|---|---|
| -20 ? ? | -12 ? ? | -12 ? ? | -20 ? ? | -20 ? ? |
| -20 ? ? | -6 ? ? | -8 ? ? | -6 ? ? | -12 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? |
| 76 ? ? | 116 ? ? | 76 ? ? | 47 ? ? | 159 ? ? |
| 125 ? ? | 165 ? ? | 105 ? ? | 67 ? ? | 260 ? ? |
| 260 ? ? | 250 ? ? | 199 ? ? | ? | 840 ? ? |
| -13.6 ? ? | -11.4 ? ? | -22 ? ? | -16 ? ? | -10.4 ? ? |
| -3.6 ? ? | -1.8 ? ? | -3.5 ? ? | -1.6 ? ? | -1.7 ? ? |
| 1.02 ? ? | 0.95 ? ? | 1.04 ? ? | 2.2 ? ? | 0.7 ? ? |
| 0.09 ? ? | 0.068 ? ? | 0.15 ? ? | 0.14 ? ? | 0.1 ? ? |
| 0.45 ? ? | 0.3 ? ? | 0.5 ? ? | 0.74 ? ? | 0.26 ? ? |
| -0.75 ? ? | -0.65 ? ? | -0.8 ? ? | -0.85 ? ? | -0.95 ? ? |
| LGA 0.6x0.7 ? ? | LGA 0.6x0.7 ? ? | LGA 0.6x1.0 ? ? | WLP 1.0x1.0 ? ? | LGA 0.6x0.7 ? ? |
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