NP2301BVR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
一般特征
NP2301BVR采用先進的戰壕
技術提供優良的RDS(ON)，低柵
在極低電壓的情況下進行充電和操作
1.8 v。本裝置適用于作為負載開關或
在PWM的應用程序。
?VDS = -20 v, ID
R
= -2.4
R
DS(ON)(Typ.)= 86mΩ @VGS =-4.5V
DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設計保證，不經生產檢驗
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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