LN4303半橋驅動器概述、用途及特點
■ 產品概述
LN4303 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的200V 高壓半橋驅動器，具有高低邊輸出，用來驅動半橋電路中的兩個高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
LN4303 的輸入信號兼容 CMOS 和 LSTTL 電平，最低可到 3.3V。輸出級可以提供較高的峰值電流驅動，讓交叉導通時間減到最小。輸出級的傳輸延時做了匹配，簡化了在高頻場合中的應用。
■ 用途
功率 MOSFET 和 IGBT 驅動
半橋驅動
全橋驅動
中小型馬達驅動
■ 產品特點
耐壓+200V
高低邊懸浮隔離
電源輸入范圍 10V 到 20V
信號輸入電平 3.3V，5V，15V 兼容
交叉傳導預防邏輯
輸出傳輸延時匹配
內置欠壓保護
內置高低邊死區時間，避免同時導通
■ 封裝
SOP8
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
148文章
7783瀏覽量
216856 -
IGBT
+關注
關注
1275文章
3915瀏覽量
252347 -
半橋驅動器
+關注
關注
2文章
87瀏覽量
13891
發布評論請先 登錄
相關推薦
LM5035B PWM 控制器，集成半橋和 SyncFET 驅動器技術手冊
LM5035B 半橋控制器/柵極驅動器包含所有必要的功能 使用電壓模式控制和線路電壓實現半橋拓撲
MP1918數據手冊#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅動器
MP1918 是一款 100V 半橋驅動器，用于在半橋或同步應用中驅動具有低柵極閾值電壓的增強型
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極
ST 意法半導體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器
用于 GaN 功率開關的高壓和高速半橋柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓半
發表于 02-12 14:06
?0次下載
使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器
電子發燒友網站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器.pdf》資料免費下載
發表于 01-03 16:19
?1次下載
PT5619半橋柵極驅動器的特點
PT5619 在同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅動器，特別適合于三相電機應用中高速功率 MOSFET和 IGBT 的柵極驅動. 特點
新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F
新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器，具有典型的0.2
淺析半橋柵極驅動器開關電源芯片U5402的主要特點
開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅動器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅動功率MOSFETs或IGBTs。
SPI控制的三橋半橋驅動器評估板NCV7703CGEVB數據手冊
電子發燒友網站提供《SPI控制的三橋半橋驅動器評估板NCV7703CGEVB數據手冊.rar》資料免費下載
發表于 04-18 16:44
?0次下載
工商網監
評論