LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比，低側(cè)電流檢測仿真降低了功率耗散，并允許將低側(cè)導(dǎo)熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。

*附件：LMG2640 集成 650V GaN 半橋數(shù)據(jù)表.pdf

高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器消除了外部解決方案中發(fā)現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關(guān) GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，避免了對(duì)高側(cè)電源的過度充電，并且反向恢復(fù)電荷為零。

該 LMG2640 支持轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式作，具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間。保護(hù)功能包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過溫關(guān)斷。

特性

• 650V GaN 功率 FET 半橋
• 105mΩ 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
• 具有低傳播延遲的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
• 具有高帶寬和高精度的電流感應(yīng)仿真
• 低側(cè)/高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)聯(lián)鎖
• 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
• 智能開關(guān)自舉二極管功能
• 高側(cè)啟動(dòng) ： < 8μs
• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
• 帶 FLT 引腳報(bào)告的過溫保護(hù)
• AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
• AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
• BST 空閑靜態(tài)電流：65μA
• 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V
• 9×7mm QFN 封裝，帶雙導(dǎo)熱墊

參數(shù)

方框圖

應(yīng)用
?AC/DC適配器和充電器
?AC/DC USB壁式插座電源
?AC/DC輔助電源
?移動(dòng)壁式充電器設(shè)計(jì)
?USB壁式電源插座

*附件：LMG2640半橋子卡評(píng)估模塊.pdf