LMG2650 是一個 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量，并減少了電路板空間。

可編程導通轉換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相比，低側電流檢測仿真降低了功率耗散，并允許將低側導熱墊連接到冷卻 PCB 電源接地。
*附件：LMG2650 650V 95 mΩ GaN 半橋，集成驅動器和電流感應仿真 數據表.pdf

高側 GaN 功率 FET 可通過低側參考柵極驅動引腳 （INH） 或高側參考柵極驅動引腳 （GDH） 進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中，高側柵極驅動信號電平轉換器將 INH 引腳信號可靠地傳輸到高側柵極驅動器。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，避免了對高側電源的過度充電，并且反向恢復電荷為零。

LMG2650 支持轉換器輕載效率要求和突發模式作，具有低靜態電流和快速啟動時間。保護功能包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 （UVLO）、逐周期電流限制和過溫關斷。超低轉換速率設置支持電機驅動應用。

特性

• 650V GaN 功率 FET 半橋
• 95mΩ 低側和高側 GaN FET
• 集成柵極驅動器，具有 <100ns 的低傳播延遲
• 可編程導通轉換速率控制
• 具有高帶寬和高精度的電流感應仿真
• 低側參考 （INH） 和高側參考 （GDH） 高側柵極驅動引腳
• 低側 （INL） / 高側 （INH） 柵極驅動聯鎖
• 高側 （INH） 柵極驅動信號電平轉換器
• 智能開關自舉二極管功能
• 高邊啟動 ： <8μs
• 低側/高側逐周期過流保護
• 過熱保護
• AUX 空閑靜態電流：250μA
• AUX 待機靜態電流：50μA
• BST 空閑靜態電流：85μA
• 8x6 mm QFN 封裝，帶雙導熱墊

參數

方框圖

應用
?<400W LLC轉換器
?<300W AHB/ACF轉換器
?<600W 3-Φ電機驅動逆變器
?<140W CrM圖騰柱PFC