采集儀對(duì)振弦傳感器激勵(lì)：也稱為“激振”，是振弦類傳感器頻率數(shù)據(jù)獲取的必須過(guò)程，僅當(dāng)傳感器收 到合適的激勵(lì)信號(hào)后才能產(chǎn)生自振，而僅當(dāng)振弦傳感器產(chǎn)生自振后才能輸出頻率信號(hào)，進(jìn)一步的，讀數(shù)電路會(huì)檢測(cè)并讀取振弦傳感器的自振信號(hào)，才能通過(guò)計(jì)算得到 振動(dòng)頻率值。振弦傳感器的激勵(lì)信號(hào)(能夠使傳感器產(chǎn)生自振的外部信號(hào))一般分 為兩類，一類為高壓短促脈沖，一類為特定頻率的多組連續(xù)低壓脈沖信號(hào)。

高壓脈沖激勵(lì)：使用較高電壓(100~200V)向振弦傳感器線圈發(fā)送短促脈沖，使任意頻率的振弦傳感器產(chǎn)生自振的過(guò)程或方法。

低壓掃頻激勵(lì)：使用與傳感器自振頻率相當(dāng)(接近)的頻率向振弦傳感器發(fā)送連續(xù) 的低壓(3~10V)脈沖信號(hào)，使傳感器產(chǎn)生自振的過(guò)程或方法。

手持便攜振弦采集儀

VH501TC 提供多種振弦傳感器激勵(lì)方法，以最大限度兼容更多型號(hào)的振弦傳感器。 振弦傳感器激勵(lì)方法參數(shù)位于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)窗口右側(cè)，共有 5 種方法可選，分別用MODTH0~MODTH4 表示。各種方法說(shuō)明如下：

手持便攜振弦采集儀激勵(lì)方法

激勵(lì)電壓數(shù)據(jù)在屏幕上顯示為 xxx/xxx 的形式，其中前面的數(shù)字表示實(shí)際的激勵(lì)電壓，后面的數(shù)字表示激勵(lì)電壓源電壓 VSEN。 高壓脈沖激勵(lì)和低壓掃頻激勵(lì)方法所使用的電源均來(lái)自于 VSEN，相對(duì)來(lái)說(shuō)，使用比較高的 VSEN 時(shí)能得到更好的傳感器信號(hào)，但有些傳感器必須使用比較低的 VSEN 電壓才會(huì)得到穩(wěn)定的頻率數(shù)據(jù)。VH501TC 有兩個(gè)版本， 當(dāng)需要修改激勵(lì)方法或者激勵(lì)電壓源時(shí)， 若設(shè)備背面有兩個(gè)旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)，則直接旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)即可; 若沒(méi)有旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)時(shí)需要用上述操作按鍵的方法進(jìn)行參數(shù)修改。 激勵(lì)方法旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)的檔位含義與上表相同， 激勵(lì)電壓旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)的檔位 0~15 表示設(shè)置 VSEN 為 0~15V(前 5 檔固定為 5V)。

手持便攜振弦采集儀激勵(lì)方法和電壓設(shè)置

注意： 建議 VSEN 的電壓不要超過(guò) 12V， 推薦設(shè)置為 5~8V。 如果 VSEN 電壓設(shè)置太高， 測(cè)量某些小阻值(小于 200 歐姆) 傳感器時(shí)會(huì)有傳感器或者設(shè)備損壞的危險(xiǎn)。在使用過(guò)程中，應(yīng)注意觀察顯示于屏幕中的振弦信號(hào)質(zhì)量值，針對(duì)某類或者某些傳感器，不同的激勵(lì)方法對(duì)信號(hào)質(zhì)量影響會(huì)很大，激勵(lì)方法的切換和使用應(yīng)以信號(hào)質(zhì)量最高為選取標(biāo)準(zhǔn)。

審核編輯：湯梓紅